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J-GLOBAL ID：201902231201440839   整理番号：19A0768089

シンクロトロン放射ナノビームX線回折による物質特性評価の現状

Current Status of Material Characterization by Synchrotron Radiation Nanobeam X-ray Diffraction

著者 (3件)： 今井康彦 ((公財)高輝度光科学研究センター) ,  隅谷和嗣 ((公財)高輝度光科学研究センター) ,  木村滋 ((公財)高輝度光科学研究センター)
資料名： 日本結晶学会誌  (Journal of the Crystallographic Society of Japan)
巻： 61  号： 1  ページ： 51-55(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： G0232A  ISSN： 0369-4585  CODEN： NKEGAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射X線を,その高輝度とX線光学素子の発展を利用して,ビームサイズで100nmオーダーに集束できる。集束X線を用いたX線回折により高空間分解能で結晶品質評価を行った。主なターゲット試料は,基板上に成長させた単結晶薄膜,超格子状ナノ構造または半導体素子である。SPring-8におけるシンクロトロンナノビームX線回折システムと典型的な最近の結果を報告する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *シンクロトロン放射 ,  *X線回折 ,  ビーム ,  空間分解能 ,  高分解能 ,  単結晶 ,  人工超格子 ,  *ナノ構造 ,  *半導体素子 ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  固体素子 ,  ゲルマニウム ,  *ゲルマニウム合金 ,  スズ含有合金 ,  *半導体薄膜 ,  *残留歪 ,  MBE成長
準シソーラス用語： ナノビーム ,  *窒化ガリウムインジウム ,  発光素子 ,  CMOS素子

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (13件)：

• 1)D. K. Bowen and B. K. Tanner: High Resolution X-ray Diffraction and Topography, Taylor & Francis (1998).
• 2)J. Stangl, C. Mocuta, V. Chamard and D. Carnone: Nanobeam X-Ray Scattering, Wiley-VCH (2014).
• 3)G. A. Chahine, et al.: J. Appl. Cryst. 47, 762 (2014).
• 4)C. E. Murray, et al.: Powder Diffraction 23, 106 (2008).
• 5)D. Dzhigaev, et al.: ACS Nano 11, 6605 (2017).

タイトルに関連する用語 (6件)： シンクロトロン放射 ,  ナノビーム ,  X線回折 ,  物質 ,  特性評価 ,  現状