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J-GLOBAL ID：201902231214927156   整理番号：19A1409324

誘電体キャパシタ用のロバストテンプレートとしての二次元グラフェン-金界面【JST・京大機械翻訳】

Two-Dimensional Graphene-Gold Interfaces Serve as Robust Templates for Dielectric Capacitors

著者 (2件)： Teshome Tamiru (Department of Spectroscopy, Indian Association for the Cultivation of Science, West Bengal, India) ,  Datta Ayan (Department of Spectroscopy, Indian Association for the Cultivation of Science, West Bengal, India)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 39  ページ： 34213-34220  発行年： 2017年10月04日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいヘテロ構造,すなわちグラフェン-Au van der Waals(vdW)界面の電子構造を密度汎関数理論を用いて研究した。分散補正PBE-D2汎関数を用いてフォノンスペクトルと結合エネルギーを記述した。ab initio分子動力学シミュレーションは,vdWフレームワークが1200Kまで保存されることを明らかにした。T=1200Kを超えると,準平面Auの三次元クラスタ様構造への転移が観測された。グラフェンとAu導電性プレートの間に1~4の六方晶窒化ホウ素(h-BN)単分子層を置くことにより,誘電体キャパシタを設計した。Auとグラフェン板間の電荷分離を,グラフェン-h-BN-Au界面に垂直な外部磁場の影響下で行った。Au-グラフェンヘテロ構造を持つh-BN二重層に対して,重量キャパシタンスをC_1=7.6μF/gとC_2=3.2μF/gと計算した。静電容量挙動は古典的帯電モデルからの強い偏差を示し,短い接触での量子現象の重要性を示し,それは最終的に大きな電極間距離では無効になる。グラフェン-Au界面は誘電体キャパシタとしての応用可能性を有する励起vdWヘテロ構造であると予測される。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金 ,  *グラフェン ,  *界面 ,  汎関数 ,  *コンデンサ ,  静電容量 ,  導電性 ,  *二次元 ,  *誘電体 ,  三次元 ,  帯電 ,  外部磁場 ,  単分子層
準シソーラス用語： 二重層 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノスケール誘電効果 ,  エネルギー貯蔵 ,  電場 ,  VDW固体 ,  二次元材料

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電体 ,  キャパシタ ,  グラフェン ,  金 ,  界面