発光材料とバンドギャップの設計:Li_2Ca_2[Mg_2Si_2N_6]:Eu2+とBa[Li_2(Al_2Si_2)N_6]:Eu2+の軟X線分光法と密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】

Tolhurst Thomas M.; Strobel Philipp; Schmidt Peter J.; Schnick Wolfgang; Moewes Alexander

文献

J-GLOBAL ID：201902231319440554 整理番号：19A1887738

発光材料とバンドギャップの設計:Li_2Ca_2[Mg_2Si_2N_6]:Eu2+とBa[Li_2(Al_2Si_2)N_6]:Eu2+の軟X線分光法と密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】

Designing Luminescent Materials and Band Gaps: A Soft X-ray Spectroscopy and Density Functional Theory Study of Li₂Ca₂[Mg₂Si₂N₆]:Eu²⁺ and Ba[Li₂(Al₂Si₂)N₆]:Eu²⁺

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資料名：
巻： 121 号： 26 ページ： 14296-14301 発行年： 2017年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

大きなバンドギャップは希土類ドープ蛍光体からの効率的な放出のための必要条件であり,その結果,高品質照明におけるその応用のための必要条件である。発光材料Li_2Ca_2[Mg_2Si_2N_6]:Eu2+とBa-[Li_2(Al_2Si_2)-N_6]:Eu2+の詳細なキャラクタリゼーションを,ソフトX線分光法と密度汎関数理論計算を用いて,厳密な実験決定とそれらのバンドギャップの理論に基づく解明を含めて示した。Li_2Ca_2[Mg_2Si_2N_6]:Eu2+のバンドギャップは4.84±0.20eVであり,Ba-[Li_2(Al_2Si_2)-N_6]:Eu2+のバンドギャップは4.82±0.20eVであった。バンドギャップの起源を各材料の計算DOSの文脈で議論し,ベンチマーク発光材料Sr-[LiAl_3N_4]:Eu2+とSr-[Mg_3SiN_4]:Eu2+と比較した。臨界的に,バンドギャップを決定する要素を,計算した状態密度と実験的共鳴X線放出測定を用いて同定した。これにより,希土類元素をドーピングすることにより,新しいニトリドケイ酸塩と関連するホスト構造を探索するときの予測力が可能になり,蛍光体変換発光ダイオードの次世代に応用できる可能性がある。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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塩基,金属酸化物 , 光化学一般 , 高分子固体の物理的性質 , 半導体結晶の電子構造 , 半導体のルミネセンス

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