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J-GLOBAL ID:201902231356916962   整理番号:19A0660867

単一有機ジラジカルにおける交換相互作用のレドックス誘起ゲーティング【JST・京大機械翻訳】

Redox-Induced Gating of the Exchange Interactions in a Single Organic Diradical
著者 (8件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 5879-5883  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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3端子接合に磁気電気活性分子を埋め込むことにより,スピントロニクス素子や量子ゲートに望ましい磁気特性の高速で局所的な電場制御が可能になる。ここでは,単一全有機中性ジラジカル分子の可逆的で安定な帯電を通して,この制御の例を提供した。非弾性電子トンネル分光法により,付加電子は二つのラジカル電子を含むものとは異なる分子軌道を占め,三つの反強磁性結合スピンをもつスピン系を形成することを示した。したがって,分子の酸化還元状態の変化は,付加電子を通して2つのラジカルスピン間の平行交換経路をスイッチする。この電気的に制御された分子内磁気相互作用のゲーティングは,単一分子[数式:原文を参照]量子ゲートの必須成分を構成する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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トランジスタ  ,  固-液界面  ,  半導体薄膜 
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