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J-GLOBAL ID：201902231427787271   整理番号：19A0515267

シリコン中の低温ゲッタリングに対する不動態化効果【JST・京大機械翻訳】

Passivation Effects on Low-Temperature Gettering in Multicrystalline Silicon

著者 (2件)： Al-Amin Mohammad (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.) ,  Murphy John D. (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 1  ページ： 68-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ≦500°Cでのアニーリングは,成長した多結晶シリコンの少数キャリア寿命を実質的に変化させた。変化の一部は不純物の内部ゲッタリングから生じるが,寿命測定のための表面不動態化は付加的効果をもたらす。不動態化の役割を明らかにするための実験を報告した。窒化ケイ素不動態化多結晶シリコンについて長期アニーリング(60時間まで)を行い,各処理段階で寿命と格子間鉄濃度を監視した。全ての試料の寿命は一定の条件下で改善され,400°Cで改善された。増加は低寿命底試料で顕著であり,400°Cで2.7倍,500°Cで3.8倍改善した。ヨウ素-エタノール不動態化による著者らの以前の研究と比較して,重要な違いが見出された。最初に,受け取ったままの寿命は表面再結合の実質的な違いのために窒化ケイ素の方が高い。第二に,格子間鉄濃度はヨウ素-エタノールと共に最初に増加するが,窒化ケイ素と共に減少する傾向がある。第3に,高寿命試料の寿命はヨウ素-エタノールで実質的に減少するが,窒化ケイ素では増加する。二次イオン質量分析は,アニールした窒化ケイ素中の高い鉄濃度を明らかにした。結果を不純物のゲッタリングと窒化けい素膜から生じるバルク不動態化の観点から議論した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ポリシリコン ,  *不動態化 ,  不純物 ,  焼なまし ,  窒化 ,  *低温 ,  *ゲッタリング ,  窒化ケイ素 ,  鉄 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 長寿命 ,  表面再結合 ,  表面不動態化 ,  寿命測定 ,  少数キャリア寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  低温 ,  ゲッタリング ,  不動態化