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J-GLOBAL ID:201902231587892720   整理番号:19A1950046

MOS_2/a-SiO_2とMOS_2/a-HfO_2界面上の非晶質酸化物における短距離秩序の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of the Short-Range Order in Amorphous Oxide on MoS2/a-SiO2 and MoS2/a-HfO2 Interfaces
著者 (8件):
資料名:
巻: 256  号:ページ: e1900002  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SiO_2とHfO_2(MoS_2/a-SiO_2とMoS_2/a-HfO_2)のMoS_2と非晶質酸化物の間の界面構造を,ab-initio分子動力学シミュレーションを通して研究した。酸化物多面体の結合長,配位数,及び連結性のような非晶質酸化物の固有短距離秩序(SRO)は界面特性において重要である。厳密なSROを示す非晶質SiO_2はMoS_2との強い相互作用を誘起し,Si-Sの界面結合を形成し,MoS_2の有効質量を著しく増加させた。対照的に,非晶質HfO_2は,より柔軟なSROを有し,MoS_2と弱く相互作用し,非晶質HfO_2との接触におけるバンド分散の維持とMoS_2の有効質量を説明した。これらの計算結果は,界面原子構造を説明することによってMoS_2/a-SiO_2上のMoS_2/a-HfO_2のより高い移動度の可能な機構を示した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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半導体結晶の電子構造  ,  電子輸送の一般理論 
タイトルに関連する用語 (5件):
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