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J-GLOBAL ID：201902231715784380   整理番号：19A2613367

スペクトル反射率とRaman散乱による黒色シリコン層の厚さと引張応力の決定【JST・京大機械翻訳】

Thickness and tensile stress determination of black silicon layers by spectral reflectance and Raman scattering

著者 (3件)： Kralik Martin (Institute of Aurel Stodola, Faculty of Electrical Engineering, University of Zilina, ul. kpt. J. Nalepku 1390, 03101 Liptovsky Mikulas, Slovakia) ,  Jurecka Stanislav (Institute of Aurel Stodola, Faculty of Electrical Engineering, University of Zilina, ul. kpt. J. Nalepku 1390, 03101 Liptovsky Mikulas, Slovakia) ,  Pincik Emil (Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 845 11 Bratislava, Slovakia)
資料名： Journal of Electrical Engineering (Web)  (Journal of Electrical Engineering (Web))
巻： 70  号： 7  ページ： 51-57  発行年： 2019年 
JST資料番号： U8048A  ISSN： 1339-309X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,フッ化水素酸(HF)溶液中でのp型シリコン基板の陽極(電気化学)エッチングにより,黒色シリコン(b-Si)試料を調製した。スペクトル反射率とRaman散乱スペクトルに及ぼす陽極エッチング条件(エッチング時間,電位,電流)の影響を調べた。b-Si構造の光学特性をUV-VIS(AvaSpec-2048)とRaman(Thermo DXR Raman)分光計によって実験的に研究した。形成した基板のB-Si層の厚さをSCOUTソフトウェアを用いて決定した。有効媒質近似理論(Looyenga)を反射率モデルの構築に用いた。基板エッチング中に導入した結晶格子の変形の影響をRaman散乱法により調べた。擬Voigt関数を用いて1次Raman散乱プロファイルの理論モデルを構築し,プロファイルパラメータを抽出した。二軸引張応力の値を最適化Ramanプロフィルパラメータを用いて推定した。Copyright 2019 Martin Kralik et al., published by Sciendo Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *反射率 ,  電位 ,  *Raman散乱 ,  最適化 ,  電気化学 ,  アノード ,  *スペクトル ,  ソフトウェア ,  有効媒質近似 ,  電流 ,  二軸 ,  分光計 ,  基板 ,  *引張応力 ,  エッチング

著者キーワード (7件)： Raman散乱 ,  多孔質シリコン ,  ブラックシリコン ,  スペクトル反射率 ,  陽極エッチング ,  電気化学エッチング ,  SCOUT

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (5件)： スペクトル ,  反射率 ,  Raman散乱 ,  黒色シリコン ,  引張応力