文献

J-GLOBAL ID：201902231741765833   整理番号：19A1647678

フォトニクス応用のためのGe_2Sb_2Te_5相変化材料のテラヘルツ分光特性評価【JST・京大機械翻訳】

Terahertz spectroscopic characterization of Ge₂Sb₂Te₅ phase change materials for photonics applications

著者 (8件)： Makino Kotaro (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5, 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8565, Japan. [e-mail]) ,  Kato Kosaku ,  Saito Yuta ,  Fons Paul ,  Kolobov Alexander V. ,  Tominaga Junji ,  Nakano Takashi ,  Nakajima Makoto
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 7  号： 27  ページ： 8209-8215  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge-Sb-Te(GST)相変化材料は,金属から絶縁体への転移を示し,したがって,光学および電気メモリ素子におけるそれらの一次応用に加えて,種々のフォトニクス応用に有用であると期待される。ここでは,位相変化がテラヘルツ(THz)周波数範囲におけるGST薄膜の光学的および誘電的性質の劇的な変化を引き起こすことを実証した。屈折率と誘電関数の実数部と虚部の両方がアニーリング温度の上昇とともに増大することを明らかにした。光学透過率とTHz伝導率における高いコントラストは,立方晶と六方晶相の間の相変化によって達成され,一方,非晶質相と立方晶相の間の相変化は,これらの特性における非常に小さい変化をもたらすことがわかった。屈折率と誘電関数の実数部は相変化が進行するにつれて増強されることが分かった。THz信号から導いたDC抵抗率の傾向は独立したDC測定と一致することが分かった。観測されたアニーリング依存変化はTHz波の自由キャリア吸収によって支配されると考えられる。GST膜の不揮発性と多準位相変化の性質の利用は,THz変調素子やメタ構造の有無によるプラズモン素子応用のような様々なTHz光電子応用に有望であることを提案した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  位相シフト ,  *相転移 ,  薄膜 ,  絶縁体 ,  屈折率 ,  コントラスト ,  誘電関数 ,  *キャラクタリゼーション ,  焼なまし ,  *テラヘルツ波 ,  透過率 ,  立方晶系 ,  誘電性 ,  *フォトニクス

分類 (2件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトニクス ,  応用 ,  相変化材料 ,  テラヘルツ分光 ,  特性評価