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J-GLOBAL ID:201902232235736438   整理番号:19A1415476

(111)方位を持つヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜における貫通転位の伝搬と固有応力の形成におけるそれらの役割【JST・京大機械翻訳】

Propagation of threading dislocations in heteroepitaxial diamond films with (111) orientation and their role in the formation of intrinsic stress
著者 (4件):
資料名:
巻: 121  号: 22  ページ: 225301-225301-8  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,貫通転位の伝搬方向,軸外成長条件,およびIr/YSZ/Si(111)上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドの応力状態の間の系統的相関を明らかにした。X線回折による歪テンソルε←の測定と,固有応力σ⇔のテンソルの計算により,軸上試料の対称二軸応力状態だけでなく,応力のない試料を示した。透過型電子顕微鏡(TEM)ラメラを,[111]方向に沿った平面視野研究と[112]と[110]ゾーン軸に沿った断面調査のために調製した。固有応力の形成を避けるパラメータを持つ軸上に成長させた試料に対して,転位の大部分は[111]に沿って明確に整列した線ベクトルを有していた。応力形成を促進する条件への突然の変化は,[111]から離れた転位の急激な曲げと相関している。この挙動は,転位の有効な上昇に対する固有応力の形成を特徴付けるモデルの予測と一致した。軸外条件下でのさらなる成長実験により,幾つかのギガギャップの顕著な面内異方性を持つ応力状態の発生が明らかになった。それらの形成は,2つの基本過程,すなわち,ステップ流駆動転位傾斜と転位の温度依存性有効上昇の組合せ作用に起因する。さらに,著者らの解釈はTEM観察から得られた転位伝搬によって支持される。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  固体の機械的性質一般 
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