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J-GLOBAL ID:201902232857378783   整理番号:19A1884420

イオン含有重合体におけるスルホン酸塩電荷密度の分光学的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Spectroscopic Characterization of Sulfonate Charge Density in Ion-Containing Polymers
著者 (5件):
資料名:
巻: 121  号: 51  ページ: 11504-11510  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0921A  ISSN: 1520-6106  CODEN: JPCBFK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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種々のスルホン酸側鎖化学で官能化した5つの異なる高分子膜の水との電荷密度と水素結合を,Fourier変換赤外(FTIR)技術と密度汎関数理論(DFT)計算を用いて研究した。スルホン化ポリ(スルホン)膜に吸収された希釈HODのOD伸縮のピーク位置をFTIRを用いて研究し,異なる試料にわたるスルホン酸頭基の電荷密度を比較した。これは最終的にプロトン型スルホン酸塩部分の酸性度に関連した。ODピークは,頭基関連,中間体,およびバルク水の割合を決定するためにデコンボリューションされた。DFTモデリングを用いて各頭基の電荷密度を計算し,頭基の化学が側鎖テザーの立体配座にどのように影響するかを可視化した。FTIRで測定したODピーク位置と電荷密度計算は,チオエーテル結合を含むペルフルロスルホン酸塩が最も酸性のスルホン酸塩頭基を生成することを示した。しかし,この側鎖に対して計算された頭基会合水の量はチオエーテル側鎖のユニークなcis立体配座のために低かった。ビペルフルオロスルホン酸側鎖は,2つのスルホン酸塩を架橋するその嵩高さと水分子により,非常に低い計算頭基会合水を有していた。スルホン酸側鎖の局所水和に関するこれらの詳細な洞察は,先進膜に対する新しい頭基設計に向かうであろう。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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