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J-GLOBAL ID：201902232859243629   整理番号：19A1887690

PCBM/P3HTヘテロ界面におけるバンドオフセットの歪変調【JST・京大機械翻訳】

Strain Modulation of Band Offsets at the PCBM/P3HT Heterointerface

著者 (4件)： Menichetti Guido (Dipartimento di Fisica, Universita di Pisa, Italy) ,  Colle Renato (Dipartimento di Chimica Applicata e Scienza dei Materiali, Universita di Bologna, Italy) ,  Grosso Giuseppe (Dipartimento di Fisica, Universita di Pisa, Italy) ,  Grosso Giuseppe (NEST, Istituto Nanoscienze-CNR, Italy)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 25  ページ： 13707-13716  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機太陽電池の効率を向上させるには,素子を構成するドナーとアクセプタ部分の界面電子バンド配列への原子的洞察が必要である。本論文では,長距離(van der Waals)相互作用を含むab initio計算を用いて,清浄P3HT結晶性高分子上に吸着したPCBM分子の単一秩序層間のバルクヘテロ接合ヘテロ界面の固体状態特性に取り組んだ。研究した界面モデルは,界面での電荷分極と移動の原因となる基本的な機構に焦点を当て,両部分のエネルギーを同じ起源に参照することを可能にした。PCM/P3HT錯体における近ギャップ電子準位の相対エネルギー位置の正確な評価と電子状態の性質の決定に有用な光学スペクトルの正確な評価の後,バンド整列に及ぼす一軸応力の影響を解析し,ドナーのLUMO準位とアクセプタ材料の間のオフセットが圧縮応力に対して減少することを見出した。このことは,ドナーバンドギャップが減少し,太陽エネルギー収穫が増加し,システムの開回路電圧が,PCBM/P3HTベース太陽電池デバイスの効率を改善するために調整できることを示唆している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  *オフセット ,  ドナー ,  太陽電池 ,  分極 ,  LUMO ,  バンドギャップ ,  アクセプタ ,  *バンドオフセット ,  *界面
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  バルクヘテロ接合 ,  第一原理計算 ,  有機太陽電池 ,  *ヘテロ界面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  励起子  (BM02120E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： PCBM ,  P3HT ,  ヘテロ界面 ,  バンドオフセット ,  歪 ,  変調