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J-GLOBAL ID：201902232883869319   整理番号：19A1888997

HCCH/HBNHは単一壁BN/カーボンナノチューブの表面におけるB=N/C=C結合を破壊できるか?【JST・京大機械翻訳】

Can HCCH/HBNH Break B=N/C=C Bonds of Single-Wall BN/Carbon Nanotubes at Their Surface?

著者 (5件)： Kar Tapas (Department of Chemistry and Biochemistry, Utah State University, Utah, United States) ,  Grueninger Peter (Institute for Organic Chemistry, University Tuebingen, Germany) ,  Scheiner Steve (Department of Chemistry and Biochemistry, Utah State University, Utah, United States) ,  Bettinger Holger F. (Institute for Organic Chemistry, University Tuebingen, Germany) ,  Roy Ajit K. (Materials and Manufacturing Directorate, Air Force Research Laboratory, Ohio, United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 46  ページ： 26044-26053  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イミノボラン(HBNH)分子は,より小さい直径の単層BNナノチューブ(BNNTs)のB=N結合を選択的に破壊し,チューブの端部または中央部のいずれかにおいて,それらの表面でリングを拡大する。密度汎関数理論を用いて,その有機対応物HCCHがBNNTsと同じかどうかを試験した。HCCH-BNNT錯体を同定し,これらの組合せ反応の遷移状態を決定した。また,HBNHと単層カーボンナノチューブ(SWNTs)及びHCCHとSWNTとの反応を調べた。データは,B=N(C=C)結合切断とそれに続く表面での環拡大が可能であることを示唆した。[2+2]-環状付加反応はHBNH-BNNTsに対して可能と思われるが,高エネルギー障壁は反応物の他の組合せに対するプロセスを妨げる。HBNH/HCCHへの置換基の導入は容易なプロセスを可能にする。HCCH-BNNTs,HBNH-SWNTおよびHCCH-SWNTの多くの場合,遷移状態が同定され,電子に富む反応物が安定な錯体を形成するための障壁高さを低くする可能性があることを示唆した。より小さい直径のアームチェアチューブの湾領域におけるHCCHまたはHBNHとの反応は好ましくない。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  遷移状態 ,  環拡大反応 ,  *単一層 ,  環状付加 ,  錯体 ,  単層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  置換基 ,  反応物 ,  エネルギー障壁 ,  結合切断 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： HCCH ,  BN ,  カーボンナノチューブ ,  破壊