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J-GLOBAL ID：201902232907999730   整理番号：19A1627180

等電点に基づくセンサとしてのFe_3O_4@MOS_2/RGO-GCEによる超痕跡量のインシュリンの検出【JST・京大機械翻訳】

Detection of ultra-trace levels of insulin by Fe₃O₄@MoS₂/rGO-GCE as a sensor based on isoelectric points

著者 (5件)： Askari Nahid (Department of Biotechnology, Institute of Sciences and High Technology and Environmental Sciences, Graduate University of Advanced Technology, Kerman, Iran) ,  Beheshti-Marnani Amirkhosro (Department of Chemistry, Payame Noor University (PNU), Tehran, Iran) ,  Askari Mohammad Bagher (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Guilan, Rasht, Iran) ,  Askari Mohammad Bagher (Department of Physics, Payame Noor University (PNU), Tehran, Iran) ,  Rohani Tahereh (Department of Chemistry, Payame Noor University (PNU), Tehran, Iran)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 10  ページ： 9652-9662  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス状炭素電極(Fe_3O_4@MoS_2/rGO-GCE)の表面に負荷した還元グラフェン酸化物とハイブリッド化したMoS_2被覆磁鉄鉱ナノ粒子から成る遷移金属二カルコゲン化物(TMD)複合材料を,修飾剤とインシュリンの等電点に基づく痕跡量のin vitroインシュリンの検出に適用した。ナノ複合材料をX線回折(XRD),エネルギー分散X線分析(EDX),電界放出型走査電子顕微鏡(FESEM)および透過型電子顕微鏡(TEM)によって特性化した。示差パルスボルタンメトリー(DPV)をインシュリンの定量分析に適用し,インシュリン濃度の広い線形範囲(10~1800nM)を良好な直線性(r2=0.992),検出限界(5.4nM)及び格子再現性(RSD%=2.03)と共に得た。著者らの知識に基づいて,遷移金属ジカルコゲニドの複合体とのパートナーシップにおける生体高分子としてのインシュリンの検出のための最初の報告である。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 検出限界 ,  被覆 ,  電子顕微鏡観察 ,  *センサ ,  再現性 ,  *等電点 ,  複合体 ,  示差パルスボルタンメトリー ,  *インスリン ,  キャラクタリゼーション ,  X線回折 ,  定量分析 ,  in vitro実験 ,  ナノ複合材料 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 化学修飾剤 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 等電点 ,  RGO ,  GCE ,  痕跡 ,  インシュリン