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J-GLOBAL ID：201902232934375648   整理番号：19A0524395

サブシステムレベル設計最適化手法を考慮した250kW,1200V SiC MOSFETベース三相インバータの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a 250 kW, 1200 V SiC MOSFET-based three-phase inverter by considering a subsystem level design optimization approach

著者 (9件)： Wijenayake Ajith H. (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701) ,  Olejniczak Kraig J. (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701) ,  Simco David (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701) ,  Minden Stephen (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701) ,  Feurtado Matthew (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701) ,  Passmore Brandon (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701) ,  McNutt Ty (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701) ,  Lostetter Alex (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701) ,  Martin Daniel (Wolfspeed, a Cree Company, 535 Research Center Blvd, Fayetteville, AR 72701)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 939-946  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)電力半導体技術は,いくつかのシリコン(Si)応用市場を成功裏に浸透させ,より高い電圧抵抗能力,より高いスイッチング能力(すなわちkHzの100秒),より高い動作温度(すなわち200°C以上)に耐える能力により運動量を獲得している。適切に適用したとき,SiC MOSFETはナノ秒でスイッチでき,これを高出力,高温,高速,高効率電力変換器応用のための有望な候補とした。実際に,多くは,今日までに開発された最も理想的な電力半導体スイッチとしてSiC MOSFETを考慮している。この高速スイッチングパワーデバイスの利点を最大化するために,電力変換器のサブシステムを設計するとき,異常な注意を払う必要がある。本論文では,電力モジュール,DCおよびACバス構造,DCリンクコンデンサバンク,およびゲートドライバ制御を16kg,250kW全SiC三相インバータに対して検討したサブシステム最適化アプローチに基づくアプローチを提示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力変換器 ,  電圧 ,  直流リンク ,  *スイッチ ,  電力 ,  高速度 ,  スイッチング ,  高温 ,  ナノ秒 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： コンデンサバンク ,  パワーモジュール ,  *サブシステム ,  パワーデバイス ,  *三相 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  システムレベル設計 ,  最適化手法 ,  SiC ,  MOSFET ,  三相 ,  インバータ ,  設計