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J-GLOBAL ID：201902233074244738   整理番号：19A2770726

SiC MOSFETベースの高電圧DCスマートハイブリッド接触器設計【JST・京大機械翻訳】

A SiC MOSFET Based High Voltage DC Smart Hybrid Contactor Design

著者 (3件)： Yanjun Dong (School of Automation, Northwestern Polytechnical University,,Department of Electrical Engineering,Xi’an,,China) ,  Jingyi Ding (School of Automation, Northwestern Polytechnical University,,Department of Electrical Engineering,Xi’an,,China) ,  Xiaobin Zhang (School of Automation, Northwestern Polytechnical University,,Department of Electrical Engineering,Xi’an,,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ISGT-Europe  ページ： 1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の航空機DC接触装置は,高出力負荷を遮断または遮断するとき,スイッチの動特性が悪く,電気的寿命が短いなどの欠点がある。新しい炭化ケイ素デバイスは,高出力密度,低オン状態抵抗および高速スイッチング速度の利点を有する。これらの問題を目的として,SiC MOSFETベースのHVDCハイブリッド接触装置の設計方式を提案した。機械的接触がオンとオフであるとき,負荷はデジタル/アナログ制御回路によって引き起こされるSiC MOSFETによって引き起こされて,動作電流は定常状態における機械的接触によって媒介されて,それはアークアブレーションの問題を解決して,効果的に接触装置の寿命を延長した。設計したHVDCハイブリッド接触装置は,アーク,高信頼性,および長い電気寿命の利点を持っている。それは,プロトタイプ開発の期待される目標を達成して,HVDCハイブリッド接触装置の工学研究と応用のための固体基礎を築いた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アブレーション ,  航空機 ,  *接触装置 ,  ディジタル方式 ,  高速度 ,  炭化ケイ素 ,  プロトタイプ ,  スイッチ ,  アーク放電 ,  電流
準シソーラス用語： 定常状態 ,  HVDC ,  オン状態 ,  出力密度 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  高電圧 ,  DC ,  接触器 ,  設計