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J-GLOBAL ID：201902233089338029   整理番号：19A1370144

SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

著者 (7件)： 坂根駿也 (大阪大 大学院) ,  石部貴史 (大阪大 大学院) ,  藤田武志 (高知工科大) ,  池内賢朗 (アドバンス理工) ,  鎌倉良成 (大阪大 大学院) ,  森伸也 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.9p-W371-8  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】熱電材料の高性能化には、熱伝導率の低減、出力因子増大が必要である。しかし、一般的に、電気伝導率、ゼーベック係数、熱伝導率にはそれぞれ相関があり、熱伝導率を低減しつつ、出力因子を増大させることは難しい。近年、ナノ構造を導入することで、...【本文一部表示】

シソーラス用語： *半導体材料 ,  ナノ構造 ,  *熱起電力 ,  *熱伝導率 ,  *電気伝導率 ,  急冷凝固 ,  アーク融解 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線回折 ,  画像 ,  Seebeck係数 ,  出力因子 ,  熱分布 ,  熱電能
準シソーラス用語： SEM画像 ,  *SiGe ,  熱電気出力

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  ナノ構造 ,  バルク ,  熱分布 ,  出力因子