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J-GLOBAL ID：201902233421814697   整理番号：19A0124896

SiN/LiNbO_3/Siに基づく低損失,高周波および大結合SH SAW共振器【JST・京大機械翻訳】

Low-Loss, High-Frequency and Large-Coupling SH SAW Resonators Based on SiN/LiNbO₃/Si

著者 (8件)： Zou J. (Resonant Inc., Santa Barbara, CA, USA) ,  Iliev F. (Resonant Inc., Santa Barbara, CA, USA) ,  Hammond R. B. (Resonant Inc., Santa Barbara, CA, USA) ,  Samadian S. (Resonant Inc., Santa Barbara, CA, USA) ,  Turner P. J. (Resonant Inc., Santa Barbara, CA, USA) ,  Yantchev V. (Resonant Inc., Santa Barbara, CA, USA) ,  Fenzi N. O. (Resonant Inc., Santa Barbara, CA, USA) ,  Plessky V. (GVR Trade SA and Resonant Inc., Gorgier, Switzerlan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IUS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 回転Yカットのサブ波長厚LN層をSiのような高速度基板に結合することにより,準SHモードは基板中のバルクモードともはや結合せず,漏れ成分は効果的に除去される。伝搬損失は,基板を選択するための最大の関心事ではないので,低い回転角をもつYカットLNは,超大結合係数(k~2)を可能にすることができる。さらに,高速度層を覆うことにより,LN/Siの頂部において,せん断水平(SH)波の位相速度(v_p)は,k~zの小さなコストで可視的に増強され得る。LNとSiNの厚さとLN回転角を注意深く設計することにより,高周波と大k2を同時に達成でき,高性能SiN/LN/Si SHデバイスは電流と次世代RFフロントエンドの大きな可能性を示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  剪断 ,  *共振器 ,  回転角 ,  電流 ,  *HF【周波数】 ,  結合係数 ,  位相速度 ,  高速度 ,  サブ波長
準シソーラス用語： RFフロントエンド ,  伝搬損失 ,  Yカット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiN ,  Si ,  低損失 ,  高周波 ,  SAW共振器