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J-GLOBAL ID：201902233448581004   整理番号：19A0660298

グラフェンベースのハイブリッドフォトトランジスタの高感度超広帯域光検出を可能にするプラズモンシリコン量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Plasmonic Silicon Quantum Dots Enabled High-Sensitivity Ultrabroadband Photodetection of Graphene-Based Hybrid Phototransistors

著者 (13件)： Ni Zhenyi (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University) ,  Ma Lingling (Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University) ,  Du Sichao (Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University) ,  Xu Yang (Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University) ,  Yuan Meng (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University) ,  Fang Hehai (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Zhen (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Xu Mingsheng (Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University) ,  Li Dongsheng (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University) ,  Yang Jianyi (Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University) ,  Hu Weida (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Pi Xiaodong (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University) ,  Yang Deren (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 10  ページ： 9854-9862  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一光子レベルに近づく高感度光検出は多くの重要な応用にとって重要である。グラフェンに基づくハイブリッドフォトトランジスタは,グラフェンの高い移動度のために高い光伝導利得を有するため,高感度光検出に特に有望である。それらの顕著な光電子特性と溶液に基づく処理を考えると,コロイド量子ドット(QD)はグラフェン系ハイブリッドフォトトランジスタを作製するために優先的に使用されてきた。しかし,得られたQD/グラフェンハイブリッド光トランジスタは,技術的に重要な中赤外(MIR)領域への光検出を拡張する挑戦に直面している。ここでは,ホウ素(B)をドープしたプラズモンシリコン(Si)QDを用いることにより,QD/グラフェンハイブリッド光トランジスタの高感度MIR光検出を実証した。BドープSi QDの局在表面プラズモン共鳴(LSPR)はグラフェンのMIR吸収を増強した。紫外(UV)から近赤外(NIR)領域へのBドープSi QDの電子遷移に基づく光吸収により,グラフェンに対する光ゲーティングが生じた。得られたQD/グラフェンハイブリッド光トランジスタのUVからMIR超広帯域光検出は,超高応答性(~10~9A/Wまで),利得(~10~12まで),および比検出能(~10~13Jonesまで)を特徴とした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  *光検出 ,  *量子ドット ,  近赤外線 ,  電子遷移 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  *高感度 ,  *フォトトランジスタ ,  利得 ,  光吸収
準シソーラス用語： ゲーティング ,  単一光子 ,  *超広帯域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： シリコン量子ドット ,  ホウ素ドーピング ,  グラフェン ,  フォトトランジスタ ,  中赤外線 ,  局在表面プラズモン共鳴

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  フォトトランジスタ ,  高感度 ,  広帯域 ,  光検出 ,  量子ドット