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J-GLOBAL ID：201902233555873791   整理番号：19A0514542

グラフェンに基づく導波路集積電気屈折位相変調器の予測高性能に向けて【JST・京大機械翻訳】

Towards the Predicted High Performance of Waveguide Integrated Electro-Refractive Phase Modulators Based on Graphene

著者 (6件)： Mohsin Muhammad (Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA), Applied Micro and Optoelectronic (AMO) GmbH, Aachen, Germany) ,  Schall Daniel (Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA), Applied Micro and Optoelectronic (AMO) GmbH, Aachen, Germany) ,  Otto Martin (Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA), Applied Micro and Optoelectronic (AMO) GmbH, Aachen, Germany) ,  Chmielak Bartos (Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA), Applied Micro and Optoelectronic (AMO) GmbH, Aachen, Germany) ,  Suckow Stephan (Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA), Applied Micro and Optoelectronic (AMO) GmbH, Aachen, Germany) ,  Neumaier Daniel (Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA), Applied Micro and Optoelectronic (AMO) GmbH, Aachen, Germany)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 1  ページ： ROMBUNNO.7800507.1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高分子電解質ゲートを用いてバイアスされたシリコンマイクロリング共振器の上部に置かれたCVD成長単層グラフェンの電気屈折変調を研究した。π,V_πL=2.7Vmmの位相シフトに対する電圧長積を抽出した。これは,シリコン枯渇水平およびインターリーブpn接合型位相変調器と比較して良好であり,ケイ素-Insulator-ケイ素キャパシタ変調器と競合する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高分子電解質 ,  *予測 ,  *導波路 ,  ケイ素 ,  *屈折 ,  位相シフト ,  PN接合 ,  電圧 ,  インタリーブ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 単層グラフェン ,  マイクロリング共振器 ,  *位相変調器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  導波路 ,  集積 ,  屈折 ,  位相変調器 ,  予測