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J-GLOBAL ID：201902233881402146   整理番号：19A1873303

3C-炭化ケイ素中の窒素及びリン欠陥に対するX線光電子分光法結合エネルギーシフトの第一原理計算

First-principles calculation of X-ray photoelectron spectroscopy binding energy shift for nitrogen and phosphorus defects in 3C-silicon carbide

著者 (3件)： MATSUSHIMA Naoki (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  MATSUSHIMA Naoki (SUMCO Corp., Saga, JPN) ,  YAMAUCHI Jun (Keio Univ., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 6  ページ： 061005.1-061005.10  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般化勾配近似を用いた第一原理計算により,3C-SiC中の窒素(N)1sとリン(P)2pの形成エネルギーとコア準位X線光電子分光結合エネルギー(XPSBE)シフトを系統的に調べ,n型欠陥に対するその信頼性を,HSE06ハイブリッド汎関数を用いたいくつかの試験により確認した。XPSBEを不純物の周りの局所ポテンシャル平均と波動関数の緩和エネルギーに分離し,XPSBEシフトと欠陥構造の間の関係を解析した。緩和エネルギーを直観的に理解することは困難である。エネルギーギャップにエネルギー準位を持つ不純物原子の周りに局在する電子は緩和エネルギーに大きな寄与をする。生成エネルギーを考慮して,見出されたいくつかのXPSピークを予測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  窒素 ,  リン ,  *格子欠陥 ,  *X線光電子分光法 ,  *結合エネルギー ,  エネルギー ,  変化 ,  計算 ,  密度汎関数法 ,  汎関数 ,  ポテンシャル ,  エネルギーギャップ ,  エネルギー準位 ,  第一原理計算 ,  ハイブリッド汎関数 ,  局所ポテンシャル ,  ギャップ内準位 ,  *3C-炭化ケイ素
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  エネルギーシフト ,  一般化勾配近似 ,  形成エネルギー ,  生成エネルギー

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (38件)：

• A. Schöner, M. Krieger, G. Pensl, M. Abe, and H. Nagasawa, Chem. Vap. Deposition 12, 523 (2006).
• T. Ohshima, K. K. Lee, Y. Ishida, K. Kojima, Y. Tanaka, T. Takahashi, M. Yoshikawa, H. Okumura, K. Arai, and T. Kamiya, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L625 (2004).
• H. Yano, H. Nakano, H. Mikai, T. Hatayama, Y. Ueda, and T. Fuyuki, Appl. Phys. Lett. 90, 042102 (2007).
• K. Seki, Alexander, P. Chaudouët, D. Chaussende, T. Ujihara, and Y. Takeda, J. Cryst. Growth 355, 94 (2011).
• K. Seki, Alexander, S. Harada, T. Ujihara, and Y. Takeda, J. Cryst. Growth 360, 176 (2012).

タイトルに関連する用語 (7件)： 3C-炭化ケイ素 ,  窒素 ,  リン ,  欠陥 ,  X線光電子分光法 ,  エネルギーシフト ,  第一原理計算