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J-GLOBAL ID：201902234110959619   整理番号：19A0558332

カリウムドーピングによるマルチバレー半導体SnSeにおける広く調整可能なバンドギャップ【JST・京大機械翻訳】

Widely tunable band gap in a multivalley semiconductor SnSe by potassium doping

著者 (11件)： Zhang Kenan (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Deng Ke (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Li Jiaheng (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhang Haoxiong (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Yao Wei (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Denlinger Jonathan (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Wu Yang (Department of Physics and Tsinghua-Foxconn Nanotechnology Research Center, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Duan Wenhui (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Duan Wenhui (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, China) ,  Zhou Shuyun (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhou Shuyun (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, China)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 2  号： 5  ページ： 054603  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒色リンに類似した層状結晶構造を持つIV-VI族モノカルコゲナイド,SnSeは,その優れた熱電特性と潜在的なデバイス応用のために最近広い関心を引き付けている。価電子帯と伝導帯の両方の実験的電子構造は熱電特性に及ぼす正孔対電子ドーピングの効果を理解するために重要であり,さらにドーピングによるバンドギャップの可能な変化を明らかにする。ここでは,半導体SnSe結晶上に大きな有効質量をもつ多重谷価電子バンドを報告し,電子ドーピングにより単一谷伝導バンドを明らかにし,熱電物理の完全な描像を提供した。さらに,カリウム蒸着による電子ドーピングにより,SnSeのバンドギャップは1.2eVから0.4eVに広く調整でき,可変同調電子及び光電子デバイスに対する新しい機会を提供した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *カリウム ,  *バンドギャップ ,  電子構造 ,  蒸着 ,  *半導体 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  多重化 ,  *ドーピング ,  リン ,  有効質量 ,  正孔 ,  結晶
準シソーラス用語： 電子ドーピング ,  熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： カリウム ,  ドーピング ,  マルチ ,  バンドギャップ