文献
J-GLOBAL ID:201902234406466369   整理番号:19A1416361

大域電場に対するトポロジカル量子ドットにおけるエッジ状態のロバスト性【JST・京大機械翻訳】

Robustness of edge states in topological quantum dots against global electric field
著者 (5件):
資料名:
巻: 122  号:ページ: 034307-034307-8  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
トポロジー絶縁体は対称性保護エッジ状態によって特徴付けられる量子物質の新しい状態として注目を集めている。局所摂動に対するエッジ状態の定性的ロバスト性は良く確立されているが,これらのトポロジー的エッジ状態が大域的摂動に定量的に応答するのは明確ではない。ここでは,HgTe量子ドットにおけるトポロジー的エッジ状態の外部面内電場に対する応答を,固体環境における外部面内電場に対して研究した。トポロジー的エッジ状態の安定性は基底バルク状態のそれよりも数桁大きいことを見出した。このロバスト性はCoulombブロッケード領域における標準輸送測定により検証される。本研究は,これらのトポロジー的エッジ状態を電荷および/またはスピン情報のための安定なメモリ素子として利用する方法,および量子通信のための単一テラヘルツ光子またはもつれテラヘルツ光子対の安定なエミッタを利用する方法を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体と絶縁体の電気伝導一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る