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J-GLOBAL ID:201902234603810596   整理番号:19A1963752

効率的な光電気化学的水分解のためのCu-Snイオン勾配ドーピングによるZnFe_2O_4ナノロッドの電荷分離の加速【JST・京大機械翻訳】

Accelerating the charge separation of ZnFe2O4 nanorods by Cu-Sn ions gradient doping for efficient photoelectrochemical water splitting
著者 (9件):
資料名:
巻: 552  ページ: 111-121  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0279A  ISSN: 0021-9797  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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適切なバンドギャップ(2.1eV)を有するスピネル亜鉛フェライト(ZnFe_2O_4)は光電気触媒分野における有望な光アノードであるが,ZnFe_2O_4の光電気化学(PEC)性能は電荷分離の不足により制限される。したがって,電荷分離効率の改善は,ZnFe_2O_4のPEC性能を改良するために不可欠である。ここでは,新しいCu-SnイオンをドープしたZnFe_2O_4ナノロッドを初めて作製した。Cu2+イオンは表面から内部へのZnFe_2O_4ナノロッドにドープされており,水平方向に沿ったZnFe_2O_4ナノロッドの電荷分離効率を高めるのに役立つ。フッ素ドープ酸化スズ(FTO)層から生じるSn4+イオンをCu-ZnFe_2O_4ナノロッドにドープし,底部から上部まで濃度を減少させて,表面トラッピング状態を減少させ,垂直方向に沿った電荷分離を加速させた。したがって,Cu-Sn二重イオン勾配ドーピングは,相乗的にZnFe_2O_4のPEC活性を高める。Cu。Sn-ZnFe_2O_4ナノロッドは,1.23V vs RHEにおいて0.46mA cm-2の優れた光電流密度を有し,ZnFe_2O_4の4.18倍であった。Cuのバルク電荷分離効率(η_バルク)と表面電荷分離効率(η_表面)。Sn-ZnFe_2O_4は,17.52%と55.22%であり,それは,それぞれ,ZnFe_2O_4のものより,5.84と3.78倍であった。本研究は,光アノードの電荷分離効率を促進するための吸気を提供し,効率的なPEC水分解を達成した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光化学反応  ,  コロイド化学一般 

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