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J-GLOBAL ID：201902234681519149   整理番号：19A1414235

アドミタンス分光法によるCZTSSeにおける準安定欠陥応答【JST・京大機械翻訳】

Metastable defect response in CZTSSe from admittance spectroscopy

著者 (5件)： Koeper Mark J. (School of Chemical Engineering, Purdue University, 480 Stadium Mall Drive, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Hages Charles J. (Department of Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum fuer Materialien und Energie (HZB), Hahn-Meitner Platz 1, D-14109 Berlin, Germany) ,  Li Jian V. (RFM3214, Department of Physics, Texas State University, San Marcos, Texas 78666, USA) ,  Levi Dean (National Renewable Energy Laboratory, 15013 Denver W Pkwy, Golden, Colorado 80401, USA) ,  Agrawal Rakesh (School of Chemical Engineering, Purdue University, 480 Stadium Mall Drive, West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 14  ページ： 142105-142105-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アドミッタンス分光法は半導体材料の欠陥を研究するために用いられる有用なツールである。しかし,非理想的半導体における準安定欠陥応答は測定に大きく影響し,従って結果の解釈に大きく影響する。ここでは,深い欠陥状態への注入キャリアのトラッピングにより準安定な欠陥応答が説明されるCu_2ZnSn(S,Se)_4についてアドミッタンス分光法を行った。準安定応答を調べるために,低レベルのキャリア注入前処理に続くデバイスと比較して,電気的および光学的に緩和された条件下でアドミッタンス測定を行った。緩和された測定により,キャリア注入後に測定された素子に対して二つの静電容量の特徴が観測されたが,単一の静電容量を示した。典型的にkesteresについて報告されているより深い準位の特徴は,キャリア注入後の電荷トラッピングによって活性化される。両方の特徴はバルクレベル欠陥に起因する。電荷トラッピングによるケスタライトで観測された顕著な準安定応答は,アドミッタンス分光法からの欠陥準位の正確な解釈を不明瞭にし,非理想素子でのこの測定を実行し解釈するときに大きな注意を払わなければならないことを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 前処理 ,  深い準位 ,  *静電容量 ,  欠陥準位 ,  半導体 ,  キャリア注入 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  トラッピング ,  *アドミタンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： ネマチック相  (BK03020W) ,  金属の格子欠陥  (BK12030F) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： アドミタンス ,  分光法 ,  欠陥 ,  応答