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J-GLOBAL ID：201902234753585619   整理番号：19A0073424

半導体検出器における電子トラッキングに基づくComptonイメージングに向けたSi-CMOSハイブリッド検出器の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of Si-CMOS hybrid detectors towards electron tracking based Compton imaging in semiconductor detectors

著者 (8件)： Yoneda Hiroki (University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo, 113-0033, Japan) ,  Yoneda Hiroki (The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (ISAS/JAXA), 3-1-1 Yoshinodai Chuo-ku Sagamihara Kanagawa 252-5210, Japan) ,  Saito Shinya (Rikkyo University, 3-34-1 Nishi Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 171-8501, Japan) ,  Watanabe Shin (The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (ISAS/JAXA), 3-1-1 Yoshinodai Chuo-ku Sagamihara Kanagawa 252-5210, Japan) ,  Watanabe Shin (University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo, 113-0033, Japan) ,  Ikeda Hirokazu (The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (ISAS/JAXA), 3-1-1 Yoshinodai Chuo-ku Sagamihara Kanagawa 252-5210, Japan) ,  Takahashi Tadayuki (The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (ISAS/JAXA), 3-1-1 Yoshinodai Chuo-ku Sagamihara Kanagawa 252-5210, Japan) ,  Takahashi Tadayuki (University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo, 113-0033, Japan)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 912  ページ： 269-273  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子追跡に基づくコンプトン画像は,反跳電子の初期方向を測定することにより,コンプトンカメラの感度を改善するための重要な技術である。半導体コンプトンカメラでこの技術を実現するために,新しい検出器概念,Si-CMOSハイブリッド検出器を提案した。それは,電子軌跡画像を得るために,CMOS読出し集積回路に結合したSi検出器である。エネルギーとイベントタイミングを得るために,N側からの信号もこの概念で読み出される。Nサイド読み出しにASICを用いることにより,数μsのタイミング分解能を達成した。本論文では,20μmピッチ画素を持つ2つのプロトタイプの結果を示した。反跳した電子軌跡の画像をそれらにより得た。エネルギー分解能(FWHM)は4.1keV(CMOS)で,59.5keVで1.4keV(N側)であった。さらに,電子の初期方向がグラフ理論アプローチに基づく再構成アルゴリズムを用いて決定されることを確認した。これらの結果は,Si-CMOSハイブリッド検出器が電子追跡ベースのコンプトンイメージングに使用できることを示している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  *半導体検出器 ,  画素 ,  ASIC ,  *CMOS ,  エネルギー分解能 ,  軌跡 ,  画像 ,  *検出器 ,  *ケイ素 ,  プロトタイプ ,  集積回路
準シソーラス用語： 反跳 ,  読出し ,  コンプトンカメラ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ガンマ線イメージング ,  半導体Comptonカメラ ,  CMOS ,  電子追跡

分類 (2件)： 素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F) ,  素粒子・核物理実験計測用エレクトロニクス  (BE01020Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 半導体検出器 ,  電子 ,  トラッキング ,  Comptonイメージング ,  Si ,  CMOS ,  ハイブリッド検出器 ,  開発