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J-GLOBAL ID：201902234880188031   整理番号：19A2928811

p-i-n及びNbN MWIR InAs/GaSb超格子赤外検出器の暗電流特性【JST・京大機械翻訳】

Dark Current Characteristic of p-i-n and nBn MWIR InAs/GaSb Superlattice Infrared Detectors

著者 (6件)： Li Yang (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing,China,100876) ,  Xiao Wenliang (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing,China,100876) ,  Wu Liyuan (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing,China,100876) ,  Xie Xiumin (Southwest Institute of Technical Physics,Renminnan Road 4-7, Chengdu,China) ,  Lu Pengfei (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing,China,100876) ,  Wang Shumin (Photonics Laboratory, Chalmers University of Technology,Department of Microtechnology and Nanoscience,Gothenburg,Sweden,41296)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： OGC  ページ： 70-75  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaSbタイプII超格子(T2SL)p-i-nとnBn光検出器の理論的暗電流モデルを示した。nBn構造を設計し,一般化-再結合(G-R),表面漏れおよびトンネル電流を抑制した。伝導と価電子帯混合を含む8バンドk.pモデルを,InAs/GaSb T2SLのバンド構造と光学遷移を計算するために適用した。p-i-nとnBn検出器の異なるドーピングレベルに対して理論計算を行った。p-i-n検出器に対して,暗電流を異なるp接触層ドーピングと異なる吸収層ドーピングに対して研究した。nBn検出器に対して,異なる接触ドーピング濃度と吸収ドーピング濃度を研究した。低温において,p-i-n検出器の暗電流は,一般化-再結合とトンネル電流によって支配的であり,nBn構造はトンネルと一般化-再結合電流を抑制することができた。高温では,p-i-n検出器とnBn検出器の暗電流は同じ桁の大きさを持ち,両方とも拡散電流によって支配される。p-i-nとnBn検出器の量子効率と抵抗面積積も120Kで計算し,p-i-n検出器の量子効率はnBn検出器よりも大きいが,nBn検出器の暗電流と抵抗面積積はより良い。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  バンド構造 ,  再結合 ,  *ヒ化インジウム ,  高温 ,  *アンチモン化ガリウム ,  ドーピング ,  検出器 ,  *暗電流 ,  *赤外検出器 ,  低温 ,  量子効率 ,  価電子バンド ,  *超格子 ,  光検出器

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (7件)： NbN ,  MWIR ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  赤外検出器 ,  暗電流