文献

J-GLOBAL ID：201902234946104399   整理番号：19A1887944

二次元van der Waals材料としてのIII族リン酸塩【JST・京大機械翻訳】

Group III Phosphates as Two-Dimensional van der Waals Materials

著者 (1件)： Altman Eric I. (Center for Research on Interface Structures and Phenomena and Department of Chemical and Environmental Engineering, Yale University, Connecticut, United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 30  ページ： 16328-16341  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2に対して観察された二次元van der Waals(2D VDW)構造を採用するためのIII族リン酸塩の能力を,密度汎関数理論を用いて評価した。コーナー共有四面体の2D六方晶二分子層を形成するエネルギーは単調な傾向に従わなかった。AlPO_4とGaPO_4のエネルギーはシリカに類似していたが,BPO_4のエネルギーは2倍以上で,INPO_4はほぼ2倍であった。より大きなIn原子は八面体配位を優先し,2D INPO_4構造の高エネルギーを説明した。一方,ホウ素の小サイズはAlPO_4またはGaPO_4よりも異なる好ましいバルク構造をもたらし,これは2D相と非常によく競合する。この意味は,SiからGaに及ぶ二次元四面体酸化物を形成するためのカチオンサイズにおけるスイートスポットである。2D BPO_4とGaPO_4構造は,B-(Ga)-O_4とPO_4四面体の交互回転を示し,B-(Ga)-O-P結合角が好ましいバルク化合物で見られるものと一致することを示した。このような回転は,バルク化合物の結合角を整合させるために,2D AlPO_4とSiO_2のために必要とされなかった。プロトタイプの成長基板としてのAlPO_4およびGaPO_4とRh(111)との相互作用も,VDW相互作用により支配される付着を明らかにする結果により調べた。SiO_2で見られるものと似た結果で,交互構造を考慮した。コーナー共有四面体のより大きなリングを導入すると,密度が減少し,構造が引張歪を適用することにより調整できる。しかし,SiO_2と比較して,リン酸塩では偶数員環のみが可能であり,構造の範囲と欠陥を形成することができる。最終的に,Mg2+は,プロセス中のAlPO_4中のAl3+を容易に置換し,イオン交換サイトを生成することがわかった。結果は,2D VDW材料のファミリーにAlPO_4とGaPO_4を添加するための大きな有望性を強調した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  *リン酸塩 ,  ガリウム ,  イオン交換 ,  四面体 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  エネルギー ,  *二次元 ,  ホウ素 ,  カチオン ,  密度汎関数法 ,  六方晶系 ,  プロトタイプ ,  結合角

分類 (3件)： 有機りん化合物  (CF08040N) ,  合成鉱物  (CD01040K) ,  酸塩基平衡  (CB04020D)

タイトルに関連する用語 (3件)： VAN ,  III族 ,  リン酸塩