文献

J-GLOBAL ID：201902234955384856   整理番号：19A0183560

V族遷移金属ジカルコゲナイド単分子層における巨大谷分裂と谷分極プラズモニクス【JST・京大機械翻訳】

Giant Valley Splitting and Valley Polarized Plasmonics in Group V Transition-Metal Dichalcogenide Monolayers

著者 (2件)： Zhou Jian (Physics Department, Virginia Commonwealth University, Virginia, United States) ,  Jena Puru (Physics Department, Virginia Commonwealth University, Virginia, United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 8  号： 23  ページ： 5764-5770  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元VI族遷移金属二カルコゲン化物(TMD)は,バレロnicsにおける量子情報を符号化し,操作するための有望なプラットフォームを提供する。しかし,2つの谷はエネルギー的に縮退しており,時間反転対称性(TRS)によって保護されている。この縮退を高めるために,外部磁場を印加するか,または磁気希土類酸化物基板を用いることによってTRSを破壊する必要がある。ここでは,この目標を達成するための異なる戦略を予測した。TRSが本質的に破れている強磁性群V TMD単分子層は,より大きな谷とスピン分裂を生成できることを提案した。分極ZnS(0001)表面も基板として用いられ,谷を低エネルギー領域(Fermi準位近く)にシフトさせた。さらに,その集団的電子励起挙動を計算することにより,このような系が巨大な谷偏光テラヘルツプラズモニクスをホストすることを示した。これらの結果は,基本的にも技術的にも重要な,バレロニック装置を設計し使用するための新しい方法を実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 外部磁場 ,  Fermi準位 ,  *単分子層 ,  磁気 ,  *分極 ,  テラヘルツ波 ,  電子励起 ,  量子情報 ,  二次元 ,  強磁性 ,  硫化亜鉛 ,  偏光 ,  低エネルギー領域
準シソーラス用語： プラズモニクス ,  スピン分裂 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  単分子層 ,  谷 ,  分極 ,  プラズモニクス