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J-GLOBAL ID：201902235009693365   整理番号：19A2275606

遷移金属吸着GT-C_3N_4単分子層における電子構造と磁気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electronic structures and magnetic properties in transition metal adsorbed gt-C₃N₄ monolayer

著者 (3件)： Hu Ai-Ming (College of Electrical and Information Engineering, Hunan Institute of Engineering, Xiangtan 411104, China) ,  Luo Hai-Jun (Department of Physics, Wenzhou University, Wenzhou 325027, China) ,  Xiao Wen-Zhi (College of Electrical and Information Engineering, Hunan Institute of Engineering, Xiangtan 411104, China)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 493  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio計算に基づいて,著者らは,吸着遷移金属(TM)を有するトリアジン系グラファイト窒化炭素(Gt-C_3N_4)シートの電子構造と磁気特性を研究した。TM原子はエネルギー的に空孔サイトに吸着される。吸着は,Sc,Ti,V,Mn,Fe,およびCoに対して,それぞれ,1.0,2.0,3.0,3.0,2.0,および3.0μ_Bの磁気モーメントをもたらす。それは,配位子場理論とHund則の間の協力に由来する。吸着は,TMで変化する異なるタイプの磁気挙動をもたらす。この系は半導体のままであるが,CrまたはNi原子の吸着によりバンドギャップが減少する。VとCo原子の吸着は,室温以上の推定Curie温度(T_C)で,半導体Gt-C_3N_4を磁気金属性と半金属性にそれぞれ変換することができる。SC,Ti,Fe,およびMn吸着は,ホストGt-C_3N_4における反強磁性を誘発する。これらの知見は,TMの吸着が将来のスピントロニクスに応用できる種々の磁気特性をもたらすことを示している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hund則 ,  磁気モーメント ,  反強磁性 ,  スピントロニクス ,  *電子構造 ,  クロム ,  *吸着 ,  バンドギャップ ,  ニッケル ,  *磁気 ,  金属性 ,  マンガン ,  グラファイト ,  計算 ,  半導体
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子構造 ,  磁気的性質 ,  遷移金属 ,  G-C_3N_4単分子層

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 遷移金属 ,  吸着 ,  GT ,  単分子層 ,  電子構造 ,  磁気的性質