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J-GLOBAL ID：201902235034952528   整理番号：19A0524546

1.2kV/180A SiC MOSFET電力モジュールの短絡耐久性評価【JST・京大機械翻訳】

Short-circuit ruggedness assessment of a 1.2 kV/180 A SiC MOSFET power module

著者 (4件)： Ionita Claudiu (ABB Corporate Research, Forskargraend 7, SE-721 78 Vaesteraes, Sweden) ,  Nawaz Muhammad (ABB Corporate Research, Forskargraend 7, SE-721 78 Vaesteraes, Sweden) ,  Ilves Kalle (ABB Corporate Research, Forskargraend 7, SE-721 78 Vaesteraes, Sweden) ,  Iannuzzo Francesco (Aalborg University, Department of Energy Technology, Pontoppidanstraede 111, Aalborg, Denmark)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 1982-1987  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 離散SiC MOSFETの短絡耐久性に関する研究は科学文献で広く遭遇しているが,高出力SiC MOSFETモジュールの動作ロバスト性を扱う研究はそれほど多くない。本論文では,ハーフブリッジ構成における商用1.2kV/180A SiC MOSFET電力モジュールのハードスイッチング故障(HSF)下の短絡(SC)耐久性を提示した。DCリンク電圧(V_DC),ゲート抵抗(R_g)およびゲートソース供給電圧(V_GS)のような試験条件を系統的に変化させて,ピーク電流および短絡エネルギーに及ぼすこれらのパラメータの影響を調査した。調べたモジュールのピーク電流はV_GS=20Vで2.5kAと高く,本研究で用いたゲート抵抗器に大きく依存しなかった。安全な動作領域(SOA)は,異なるVGSとパルス幅でマップされ,VDS=800Vで,これらの評価のデバイスへの応用で典型的に遭遇する。5つのモジュールは,臨界短絡エネルギーE_crが7.3Jから9.7Jの範囲で,全体で失敗した。破壊機構は一般的に熱暴走である。故障の前に,V_GSの減少を観察することができ,それは,増加したゲートソース漏れ電流の指標である。この実験研究で得られた結果は,SCイベントに対するモジュールの良好な耐性を示した。本研究の間に得られた実験データは,SCイベントの間のデバイス挙動と限界に対する洞察を与え,保護回路を開発するためにゲートドライバ設計者によって使用することができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 臨界 ,  故障 ,  直流リンク ,  ロバスト性 ,  *耐久性 ,  パルス幅 ,  漏れ電流 ,  電圧 ,  安全性
準シソーラス用語： 保護回路 ,  熱暴走 ,  ピーク電流 ,  ハードスイッチング ,  ハーフブリッジ ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  MOSFET ,  電力モジュール ,  短絡 ,  耐久性評価