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J-GLOBAL ID：201902235127138063   整理番号：19A0491397

単純な二元結晶における強誘電性【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectricity in Simple Binary Crystals

著者 (2件)： Onodera Akira (Department of Physics, Faculty of Science, Hokkaido University, Sapporo 060-0810, Japan) ,  Takesada Masaki (Department of Physics, Faculty of Science, Hokkaido University, Sapporo 060-0810, Japan)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 8  ページ： 232  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープした二元結晶,Pb1-xGexTe,Cd1-xZnxTe,Zn1-xLixOおよびHf1-xZrxO2における強誘電性の起源を考察した。一方,二つの結晶,HClおよびHBrを除いて二元強誘電体は報告されていない。強誘電性はドープ結晶でのみ誘起され,ドーパントによる化学結合における電子修飾の重要性を示した。現象論的および微視的処理を強誘電活性の出現のために与えた。ZnOとHfO2のような二元結晶における強誘電性の発見は,基礎科学において,また,相補的金属酸化物半導体(CMOS)技術に対する応用において,高い関心事である。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塩酸 ,  酸化ハフニウム ,  化学結合 ,  ドーピング ,  ドーパント ,  *強誘電性 ,  *結晶 ,  酸化亜鉛 ,  CMOS ,  強誘電体
準シソーラス用語： 現象論 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強誘電体 ,  二元結晶 ,  ZnO ,  HfO_2 ,  混合結合

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (49件)：

• Auciello, O.; Scott, J.F.; Ramesh, R. Ultrahigh-Intensity Lasers: Physics of the Extreme on a Tabletop. Phys. Today 1998, 51, 22.
• Scott, J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications. Ferroelectr. Rev. 1998, 1, 1.
• Haertling, G.H. Ferroelectric Ceramics: History and Technology. J. Am. Ceram. Soc. 1999, 82, 797-818.
• Scott, J.F.; Paz de Araujo, C.A. Ferroelectric memories. Science 1989, 246, 1400-1405.
• Uchino, K. Ceramic actuators: Principles and applications. MRS Bull. 1993, 18, 42-48.

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶 ,  強誘電性