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J-GLOBAL ID：201902235244051461   整理番号：19A0514981

有限利得補償によるシリコンフォトニクスにおける漏れ損失の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Leakage Loss in Silicon Photonics with Finite Gain Compensation

著者 (2件)： Chiang Po-Jui (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung University of Applied Sciences, Kaohsiung, Taiwan) ,  Shih Tien-Tsorng (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung University of Applied Sciences, Kaohsiung, Taiwan)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 5  ページ： ROMBUNNO.1505310.1-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン-オン-絶縁体ウエハ上に作製したシリコン導波路は本質的に漏れている。この事実は,コンパクトな電子デバイスと一体化されたシリコンフォトニック構造における絶縁体厚さの下限を与える。受動シリコン導波路に結合したIII-V半導体利得媒質を用いた漏れ損失に対する有限利得補償の角度からこの制約を調べた。利用可能な利得の合理的な大きさにより,320nmより薄い絶縁体層が約170nmのコア厚さをもつシリコン導波路の基本的な準横電気モードを支持できることを見出した。これにより,高周波およびアナログ応用のための小型電子部品とフォトニックデバイスの集積が可能になる。さらに,漏れ損失が完全に補償されなければならないか,あるいは利得限界を上げることができれば,部分的に枯渇した電子デバイスのレベルへのサイズ減少が可能になる可能性がある。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 導波路 ,  絶縁体 ,  *ケイ素 ,  アナログ系 ,  TEモード ,  *利得 ,  HF【周波数】 ,  半導体 ,  *利得補償
準シソーラス用語： フォトニックデバイス ,  絶縁層 ,  利得媒質 ,  電子素子 ,  *漏れ損失 ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 利得補償 ,  シリコンフォトニクス ,  漏れ損失 ,  解析