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J-GLOBAL ID:201902235784046795   整理番号:19A2012343

3D VLSIの対面LUTSにおける放射線誘起効果の解析のための新しい方法【JST・京大機械翻訳】

A new Method for the Analysis of Radiation-induced Effects in 3D VLSI Face-to-Back LUTs
著者 (5件):
資料名:
巻: 2019  号: SMACD  ページ: 205-208  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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近年,三次元IC(3D IC)は,集積密度,電力消費および達成可能なクロック周波数に関するいくつかの利点により,IC性能を向上させる有望なアプローチとして多くの注目を集めている。しかし,放射によって誘起されるソフトエラーに関する3D ICの信頼性はまだ研究されていない。本研究では,重イオンにより誘起された単一イベント過渡に対する3D ICの感度を評価する方法を提案した。流れは,放射分布と設計の3D配置に関して発生した過渡パルスの特性を同定することから始まる。第二に,著者らの方法は,シミュレーションベースの故障注入環境を用いて動的誤り率を提供する。2つのタイマで設計された15nmの3D構成可能なLook-Up-Table(LUT)に対するアプローチを適用して達成された実験結果は,この方法の実現可能性を示し,8つの異なるタイプの重イオンを用いた4つの異なる機能構成の脆弱性キャラクタリゼーションを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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