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J-GLOBAL ID：201902235877723476   整理番号：19A2737657

FeOナノ粒子触媒によるMoS₂ナノチューブのCVD成長と評価

CVD Growth and Characterization of MoS₂ Nanotubes Grown with FeO Nanoparticle Catalysts

著者 (6件)： 柳瀬隆 (北海道大学大学院工学研究院応用化学部門) ,  MENGTING Weng (北海道大学大学院総合化学院) ,  MEIQI Zhang (北海道大学大学院総合化学院) ,  後藤真菜美 (北海道大学大学院総合化学院) ,  長浜太郎 (北海道大学大学院工学研究院応用化学部門) ,  島田敏宏 (北海道大学大学院工学研究院応用化学部門)
資料名： 表面と真空  (Vacuum and Surface Science)
巻： 62  号： 10  ページ： 617-622(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： G0194B  ISSN： 2433-5835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： FeOナノ粒子触媒を用いたCVDによるMoS₂ナノワイヤの成長を報告する。FeOナノ粒子の形状とサイズは,生産物,すなわち,非晶質SiO₂ナノワイヤとMoS₂多層ナノチューブ間のスイッチングを劇的に変化させることが分かった。成長機構を実験結果に基づいて考察した。触媒としての他の遷移金属酸化物の効果を調べた。MoS₂ナノチューブの電子構造を計算し,それらの独特の性質を明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *触媒 ,  ナノ粒子 ,  *硫化モリブデン ,  *ナノチューブ ,  化学蒸着 ,  二酸化ケイ素 ,  スイッチング ,  機構 ,  酸化物 ,  遷移金属化合物 ,  計算
準シソーラス用語： *酸化鉄触媒 ,  *二硫化モリブデン ,  化学気相成長法 ,  成長機構 ,  遷移金属酸化物 ,  電子構造計算

著者キーワード (8件)： MOS_2 ,  ナノチューブ ,  FeO ,  化学蒸着 ,  MOS_2 ,  ナノチューブ ,  FeO ,  化学蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• 1) A. Rothschild, J. Sloan and R. Tenne : J. Am. Chem. Soc. 122, 5169 (2000).
• 2) M. Remskar, A. Mrzel, Z. Skraba, A. Jesih, M. Ceh, J. Demsar, P. Stadelmann, F. Levy and D. Mihailovic : Science 292, 479 (2001).
• 3) E.M. Rivera-Muñoz : J. Appl. Phys. 102, 094302 (2007).
• 4) V. Lavayen, N. Mirabal, C. O’Dwyer, M.A. Santa Ana, E. Benavente, C.M. Sotomayor Torres and G. Gonzalez : Appl. Surf. Sci. 253, 5185 (2007).
• 5) M. Remskar, A. Mrzel, M. Virsek, M. Godec, M. Krause, A. Kolitsch, A. Singh and A. Seabaugh : Nanoscale Res. Lett. 6, 26 (2010).

タイトルに関連する用語 (8件)： FeO ,  ナノ粒子 ,  触媒 ,  MoS2 ,  ナノチューブ ,  CVD ,  成長 ,  評価