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J-GLOBAL ID：201902236080914384   整理番号：19A0427757

Si(111)上に成長させたSiC膜の光学的特性評価【JST・京大機械翻訳】

Optical characterization of SiC films grown on Si(111)

著者 (7件)： Juri Raghavendra Rao (Interdisciplinary Nanoscience Center (iNANO), Aarhus University, Aarhus C, Denmark) ,  Hansen John Lundsgaard (Interdisciplinary Nanoscience Center (iNANO), Aarhus University, Aarhus C, Denmark) ,  Hansen John Lundsgaard (Department of Physics and Astronomy, Aarhus University, Aarhus C, Denmark) ,  Kristensen Peter Kjaer (Department of Materials and Production, Aalborg University, Aalborg Ost, Denmark) ,  Julsgaard Brian (Interdisciplinary Nanoscience Center (iNANO), Aarhus University, Aarhus C, Denmark) ,  Julsgaard Brian (Department of Physics and Astronomy, Aarhus University, Aarhus C, Denmark) ,  Pedersen Kjeld (Department of Materials and Production, Aalborg University, Aalborg Ost, Denmark)
資料名： Applied Physics. B. Lasers and Optics  (Applied Physics. B. Lasers and Optics)
巻： 124  号： 12  ページ： 1-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0501B  ISSN： 0946-2171  CODEN： APBOEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGeバッファ層の有無によるSi基板上のSiへのCの置換によりSi上に成長させたSiC薄膜を光学技術により調べた。SiCドメインの形成は,積層欠陥と表面酸化物からの強い緑と青の光ルミネセンスをもたらす。10nm厚のSiGeバッファ層の導入により,X線回折と光第二高調波発生(SHG)によって証明されたように,結晶度の改善がもたらされた。非線形光学方位角回転スペクトルは膜中に立方晶SiCの存在を示した。さらに,入射角走査は立方対称性を持つ膜に基づくシミュレーションと一致し,立方相がSiC膜を支配することを実証した。微斜面Si(111)上の成長は,基板と同じc_1v対称性をもつSiC膜をもたらし,SiC膜の格子面がSi基板のそれに従うことを示した。空間分解SHG走査は成長過程から生じるSi界面の基礎構造に関連する構造を示した。Copyright 2018 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バッファ層 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  基板 ,  光ルミネセンス ,  薄膜 ,  走査 ,  *光学的性質 ,  対称性 ,  結晶度 ,  界面 ,  立方晶系 ,  第二高調波発生 ,  微斜面 ,  X線回折

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  成長 ,  SiC ,  光学的特性 ,  評価