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J-GLOBAL ID：201902236189355701   整理番号：19A0513147

データ通信とシリコンフォトニクス応用のための量子ドットレーザの開発【JST・京大機械翻訳】

Development of Quantum Dot Lasers for Data-Com and Silicon Photonics Applications

著者 (4件)： Nishi Kenichi (QD Laser, Inc., Atsugi, Japan) ,  Takemasa Keizo (QD Laser, Inc., Atsugi, Japan) ,  Sugawara Mitsuru (QD Laser, Inc., Atsugi, Japan) ,  Arakawa Yasuhiko (University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 6  ページ： ROMBUNNO.1901007.1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体レーザの素子特性は,活性層構造の進歩により改善された。キャリア閉込め次元は,特に温度感度とスロープ効率において重要な役割を果たす。「量子ドット(QD)」として知られているナノスケール半導体結晶への三次元キャリア閉じ込めは,最終的に優れた素子性能を示すと予測されている。優れた素子性能をもつQDレーザを実現するために,GaAs上に成長させた自己集合形成InAs QDを集中的に促進した。現在,高密度,高光学品質のQDは,改良された分子線エピタクシー成長により実現され,より良好な温度特性をもつQDレーザは,データコム市場に対する量産の段階にある。分布帰還型QDレーザだけでなくFabry-Perot型は,非常に改善されたレーザ特性を示した。また,QDレーザのユニークな素子特性は,200°C以上のレーザ発振のような高温動作を利用することによる資源探索のための利用などの新しい応用分野を開いた。シリコンフォトニクスのために,QDレーザを,非熱動作のための光源として用いた。本論文では,QDの発展,ならびに新しい応用分野に対する改善されたデバイス性能について議論した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *量子ドット ,  光源 ,  三次元 ,  活性層 ,  *量子ドットレーザ ,  レーザ発振 ,  自己集合 ,  ヒ化インジウム ,  MBE成長 ,  ヒ化ガリウム ,  *レーザ
準シソーラス用語： 高温動作 ,  ナノスケール ,  デバイス特性 ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： データ通信 ,  シリコンフォトニクス ,  応用 ,  量子ドットレーザ ,  開発