文献
J-GLOBAL ID:201902236235182032   整理番号:19A1952124

フレキシブルTFTのための金属-硝酸塩ベース金属酸化物半導体インクの逆オフセット印刷【JST・京大機械翻訳】

Reverse-Offset Printing of Metal-Nitrate-Based Metal Oxide Semiconductor Ink for Flexible TFTs
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: e1900272  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2482A  ISSN: 2199-160X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
逆オフセット印刷(ROP)は,良好な厚さ制御と鋭いエッジ定義を有する電子工業関連線幅(≒1μm)を形成することができる新しい印刷技術である。制御された酸素プラズマ処理を通して,ROPのプロセス段階に関連する表面のエネルギーは,有機溶媒中に溶解した金属硝酸塩に基づく簡単な印刷インクを用いて金属-酸化物半導体層のパターン形成を可能にするために最適化できることを実証した。ROPプロセスのステップを,乾燥中のインクの表面エネルギー測定とFourier変換赤外スペクトルを用いて解析した。In_2O_3半導体と蒸着Alソース/ドレイン(S/D)コンタクトのロール対プレートROPを用いて作製した薄膜トランジスタ(TFT)は,平均して,平均で3.1と3.5cm2V-1s-1の移動度と,Si/SiO_2基板上で10~8と10~7までのオン/オフ比を示した。また,Agナノ粒子インクを用いてROPで印刷したS/D接触を有するフレキシブル基板上のTFTは1.4cm~2V~1s-1移動度を示した。プロセスの拡張性を実証するために,In_2O_3の連続線を,約2μmまでの線幅を持つロール対ロール互換(R2R)ROPを用いて印刷した。このプロセスは,柔軟な高分解能センサアレイとディスプレイによって必要とされるように,小型化された金属-酸化物回路をもたらすと期待される。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  表面の電子構造  ,  発光素子 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る