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J-GLOBAL ID：201902236330437345   整理番号：19A2094654

将来のパワーMEMSデバイスのための高インダクタンス密度の3D MEMSインチップソレノイドインダクタ【JST・京大機械翻訳】

A 3D MEMS In-Chip Solenoid Inductor of High Inductance Density for Future Power-MEMS Device

著者 (8件)： Xu Tiantong (Beihang University, Beijing, CHINA) ,  Sun Jiamian (Beihang University, Beijing, CHINA) ,  Wu Hanxiao (Beihang University, Beijing, CHINA) ,  Li Haiwang (Beihang University, Beijing, CHINA) ,  Li Hanqing (Massachusetts Institute of Technology, Boston, USA) ,  Xia Jingchao (Beihang University, Beijing, CHINA) ,  Tao Zhi (Beihang University, Beijing, CHINA) ,  Schmidt Martin A. (Massachusetts Institute of Technology, Boston, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII  ページ： 1459-1462  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Si基板に埋め込まれた新しいタイプの3Dソレノイドインダクタの設計,製作,および測定について報告する。インダクタはCMOS互換MEMS作製プロセスにより良好な構造完全性と再現性で作製した。測定結果は,最高の品質因子(37.6@21MHz)が,20ターンインダクタにおいて,5ターンインダクタと最高インダクタンスとインダクタンス密度(86.6nHと21.7nH/mm2)で見出されたことを示した。その性能を試験するために電磁スイッチを構築し,インダクタをフレキシブル基板(PDMS)に移し,フレキシブル/ウェアラブルデバイスにおけるその潜在的使用を試験した。このタイプのインダクタは,Power-MEMSデバイスにおける潜在的応用の見通しを有し,それらのデバイスにおける電力密度と効率を改善することができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フレキシブル基板 ,  スイッチ ,  CMOS ,  完全性 ,  *三次元 ,  *インダクタンス ,  再現性 ,  *MEMS
準シソーラス用語： 電力密度 ,  ウェアラブルデバイス ,  品質因子 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワー ,  MEMSデバイス ,  インダクタンス ,  密度 ,  3D ,  MEMS