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J-GLOBAL ID:201902236402863211   整理番号:19A0887818

転写印刷を用いて集積したCMOSシリコンフォトニックチップ上の量子ドット単一光子源【JST・京大機械翻訳】

Quantum-dot single-photon source on a CMOS silicon photonic chip integrated using transfer printing
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 036105-036105-6  発行年: 2019年 
JST資料番号: U7124A  ISSN: 2378-0967  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコンフォトニクスは,成熟相補性-金属-酸化物-半導体(CMOS)技術との互換性のため,大規模フォトニック集積回路(PICs)を実現するための強力なプラットフォームである。量子フォトニック情報処理(またはいわゆるシリコン量子フォトニクス)のためのシリコンベースのPICsを利用することは,大規模な量子応用のための有望な経路を提供する。スケーラブルなシリコン量子PICsの開発のために,主な挑戦は,単一光子を決定的に放出するシリコン量子光源を統合することである。この点において,エピタキシャルInAs/GaAs量子ドット(QD)の使用は,高純度と不識別性を有する決定論的単一光子放出の能力のために,非常に有望なアプローチである。しかし,必要なハイブリッド集積は本質的に困難であり,しばしばCMOSプロセスとの互換性を欠いている。ここでは,CMOS鋳造により処理されたガラスクラッドシリコンフォトニック導波路上に集積されたQD単一光子源を実証した。ハイブリッド集積は,転写印刷を用いて実行され,それにより,単純なピックアップと場所の方法で不均一な光学部品を統合することが可能になり,全体のCMOSプロセスが完了した後にそれらを組み立てることができる。集積QDからの単一光子放出とシリコン導波路への効率的な結合を観測した。転送印刷ベースのアプローチはCMOSバックエンドプロセスと完全に互換性があり,CMOS技術を活用する大規模量子PICsを実現する可能性を開くであろう。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  超伝導体の物性一般  ,  その他の光デバイス  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  光デバイス一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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