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J-GLOBAL ID：201902236726910511   整理番号：19A1421786

(In,Fe)Sbおよび(Ga,Fe)Sb希釈磁性半導体層に基づくエピタキシャルp-i-n構造の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of epitaxial p-i-n structures on the basis of (In,Fe)Sb and (Ga,Fe)Sb diluted magnetic semiconductors layers

著者 (13件)： Kudrin A.V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Lesnikov V.P. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Pavlov D.A. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Usov Yu.V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Danilov Yu.A. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Dorokhin M.V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Vikhrova O.V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Milin V.E. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Kriukov R.N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Kuznetsov Yu.M. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Trushin V.N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Gagarin av. 23/3, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Sobolev N.A. (Department of Physics and I3N, University of Aveiro, 3810-193 Aveiro, Portugal) ,  Sobolev N.A. (National University of Science and Technology “MISiS”, 119049 Moscow, Russia)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 487  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空中のInSb,GaAs,GaSb,SbおよびFeターゲットのパルスレーザスパッタリングにより,GaAs基板上に,n型(In,Fe)Sbおよびp型(Ga,Fe)Sb希釈磁性半導体(DMS)と分離(In,Fe)Sbおよび(Ga,Fe)Sb層に基づく多層構造を作製した。透過型電子顕微鏡とエネルギー分散X線分光法は,成長温度に対する(In,Fe)Sb化合物の相組成の強い依存性を明らかにした。220°Cから300°Cへの後者の増加は,Fe原子の合体をもたらし,(In,Fe)Sb層における二次結晶相の形成をもたらし,全Fe含有量は約10at%であった。同時に,220°Cと300°Cで得られたGa_0.8Fe_0.2Sb層は単相である。220°Cでi-GaAs上に成長させた分離In_0.8Fe_0.2SbとGa_0.8Fe_0.2Sb層は,それぞれ約190Kと170KのCurie温度を有するDMSである。単相(In,Fe)Sb層と(Ga,Fe)Sb層のFe含有量が10±1at%のGaAs基板上に成長させた3層p-i-nダイオード(In,Fe)Sb/GaAs/(Ga,Fe)Sb構造はかなり高い結晶品質を持ち,FeドープIII-V半導体に基づく双極スピントロニクスデバイスのプロトタイプと考えられる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  *鉄 ,  Curie温度 ,  ダイオード ,  多層構造 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  ヒ化ガリウム ,  単相 ,  アンチモン化インジウム ,  プロトタイプ ,  *半導体 ,  ドーピング ,  アンチモン化ガリウム ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： *希薄磁性半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Fe ,  Sb ,  Ga ,  希釈磁性半導体 ,  エピタキシャル