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J-GLOBAL ID：201902237267347302   整理番号：19A2025852

トップh-BN層を持つCVD成長グラフェンデバイス中のホットキャリア【JST・京大機械翻訳】

Hot Carriers in CVD-Grown Graphene Device with a Top h-BN Layer

著者 (14件)： Chuang C. (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba 263-8522, Japan) ,  Chuang C. (Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei 10617, Taiwan) ,  Mineharu M. (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba 263-8522, Japan) ,  Matsumoto N. (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba 263-8522, Japan) ,  Matsunaga M. (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba 263-8522, Japan) ,  Liu C.-W. (Graduate Institute of Applied Physics, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Wu B.-Y. (Graduate Institute of Applied Physics, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Kim Gil-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Lin L.-H. (Department of Electrophysics, National Chiayi University, Chiayi 600, Taiwan) ,  Ochiai Y. (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba 263-8522, Japan) ,  Watanabe K. (Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Taniguchi T. (Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Liang C.-T. (Graduate Institute of Applied Physics, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Aoki N. (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba 263-8522, Japan)
資料名： Journal of Nanomaterials (Web)  (Journal of Nanomaterials (Web))
巻： 2018  ページ： Null  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7011A  ISSN： 1687-4110  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平衡領域に素子を駆動することにより,上部h-BN層をもつCVD成長グラフェン素子におけるホットキャリアのエネルギー緩和を調べた。自己温度計としてのグラフェン素子の磁場依存コンダクタンスゆらぎを用いることにより,格子温度[数式:原文を参照]を固定しながら,種々の駆動電流[数式:原文を参照]における有効キャリア温度[数式:原文を参照]を決定することができた。興味深いことに,[数式:原文を参照]はIに比例することが分かった。このことは,この素子における電子-フォノン散乱がほとんどないことを示している。さらに,キャリア[数式:原文を参照]当たりのエネルギー損失の平均速度は([数式:原文を参照])に比例し,この系における音響フォノン過程よりも熱拡散を示唆した。h-BN層でキャップされたCVDグラフェンと剥離多層グラフェンにおける弱い電子-フォノン結合による長いエネルギー緩和時間は,ホットキャリアグラフェン系デバイスへの応用を見出すことができる。Copyright 2018 C. Chuang et al. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  *ホットキャリア ,  熱拡散 ,  電子-フォノン相互作用 ,  温度計 ,  非平衡状態 ,  エネルギー損失 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 多層グラフェン ,  音響フォノン ,  駆動電流 ,  格子温度 ,  コンダクタンス揺らぎ ,  エネルギー緩和 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (43件)：

• X. Du, D. E. Prober, H. Vora, C. B. Mckitterick, "Graphene-based bolometers," Graphene 2D Mater, vol. 1, 2014.
• J. Huang, J. A. Alexander-Webber, T. J. B. M. Janssen et al., "Hot carrier relaxation of Dirac fermions in bilayer epitaxial graphene," Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 27, 2015.
• C. Voisin, B. Plaçais, "Hot carriers in graphene," Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 27, 2015.
• A. Tzalenchuk, S. Lara-Avila, A. Kalaboukhov et al., "Towards a quantum resistance standard based on epitaxial graphene," Nature Nanotechnology, vol. 5, pp. 186, 2010.
• A. E. Fatimy, R. L. Myers-Ward, A. K. Boyd, K. M. Daniels, D. K. Gaskill, P. Barbara, "Epitaxial graphene quantum dots for high-performance terahertz bolometers," Nature Nanotechnology, vol. 11, pp. 335, 2016.

タイトルに関連する用語 (6件)： トップ ,  h-BN ,  CVD ,  成長 ,  グラフェン ,  ホットキャリア