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J-GLOBAL ID：201902237355657748   整理番号：19A2111285

圧縮歪ペロブスカイトSrIrO_3膜の輸送挙動に及ぼす膜厚の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of film thickness on transport behavior of compressive strained perovskite SrIrO₃ films

著者 (3件)： Chaurasia Rachna (School of physical Sciences, Jawaharlal Nehru University, New Delhi 110067, India) ,  Kharkwal K. C. (School of physical Sciences, Jawaharlal Nehru University, New Delhi 110067, India) ,  Pramanik A. K. (School of physical Sciences, Jawaharlal Nehru University, New Delhi 110067, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2142  号： 1  ページ： 080008-080008-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5d系ペロブスカイトSrIrO_3(SIO)膜の電気輸送を調べた。異なる厚さのSIO膜をSrTiO_3(100)基板上にパルスレーザ蒸着により成長させた。SiOは5dに基づく遷移金属酸化物であり,強いスピン軌道相互作用を示す。SiOは非常に汎用性があり,その物理的性質は外部摂動で修正できる。膜に歪を導入することによりSIO系を摂動した。スピン軌道相互作用はSIOの輸送特性を決定する。バルクSIOに対する反対に,薄膜データは薄膜の絶縁挙動と抵抗率を示し,膜厚の増加により薄膜の抵抗率が増加した。温度依存抵抗率はMott可変範囲ホッピング方程式に最も良く適合した。原子間力顕微鏡画像は膜の層成長により層を確認した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 画像 ,  電気抵抗率 ,  基板 ,  エレクトロトランスポート ,  摂動 ,  *膜厚 ,  原子間力顕微鏡 ,  スピン-軌道相互作用 ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  ホッピング伝導 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  一酸化ケイ素 ,  *圧縮歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧縮歪 ,  ペロブスカイト ,  輸送 ,  挙動 ,  膜厚