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J-GLOBAL ID：201902237630026292   整理番号：19A2670975

原子分解III-V半導体とナノデバイスにおける極性光学フォノンと荷電不純物により駆動されたバンド-テール形成とバンドギャップ狭まり【JST・京大機械翻訳】

Band-tail Formation and Band-gap Narrowing Driven by Polar Optical Phonons and Charged Impurities in Atomically Resolved III-V Semiconductors and Nanodevices

著者 (10件)： Sarangapani Prasad (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Chu Yuanchen (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Charles James (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Klimeck Gerhard (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Klimeck Gerhard (Network for Computational Nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Klimeck Gerhard (Purdue Center for Predictive Materials and Devices, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Kubis Tillmann (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Kubis Tillmann (Network for Computational Nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Kubis Tillmann (Purdue Center for Predictive Materials and Devices, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA) ,  Kubis Tillmann (Purdue Institute of Inflammation, Immunology and Infectious Disease, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47906, USA)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 12  号： 4  ページ： 044045  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高ドーピング誘起Urbachテールとバンドギャップ狭まりはトンネル電界効果トランジスタ,Esakiダイオード,発光ダイオードのようなトンネルデバイスと光電子デバイスの性能を決定するのに重要な役割を果たす。本研究では,Urbachテールとバンドギャップの狭い値を,[数式:原文を参照],[数式:原文を参照],[数式:原文を参照],および[数式:原文を参照],ならびに同じ材料の極薄体とナノワイヤに対して明示的に計算した。電子は多バンド原子論的タイト結合における非平衡Green関数法により解いた。自己無撞着Born近似において,極性光学フォノンと荷電不純物の散乱を解いた。それらのための対応する非局所散乱自己エネルギーおよび数値的に効率的な定式化を,超薄体およびナノワイヤに対して導入した。予測されたUrbachバンド尾部と伝導-バンドギャップ狭まりは,一連の温度とドーピング濃度に対する実験文献と良く一致した。ドーピングの関数としてUrbachテールとバンドギャップ狭まりの多項式フィットを迅速な参照のために表した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 散乱 ,  Born近似 ,  ドーピング ,  ナノワイヤ ,  発光ダイオード ,  *半導体 ,  *バンドギャップ ,  *極性 ,  多項式 ,  定式化 ,  トンネルダイオード
準シソーラス用語： 非平衡Green関数 ,  *荷電不純物 ,  *光学フォノン ,  *ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 原子 ,  分解 ,  III-V半導体 ,  ナノデバイス ,  極性 ,  光学フォノン ,  荷電不純物 ,  バンド ,  テール ,  バンドギャップ