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J-GLOBAL ID:201902237638698856   整理番号:19A0513091

半導体テラヘルツパルス源の展望【JST・京大機械翻訳】

Prospects of Semiconductor Terahertz Pulse Sources
著者 (4件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: ROMBUNNO.8501208.1-8  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0734A  ISSN: 1077-260X  CODEN: IJSQEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ZnTe THzパルス源を用いた最近の実験において,0.7%までの非常に高いポンプ-テラヘルツ(THz)変換効率を実証した。このような高効率は,THz周波数における二光子吸収と三光子吸収と関連自由キャリア吸収の両方を抑制するために十分長い赤外波長でのポンピングにより達成できた。半導体非線形材料における光整流による高磁場高エネルギーTHzパルス発生を数値シミュレーションにより調べた。赤外ポンプ半導体THz源の基本的設計側面を検討した。最適ポンピングと位相整合条件を与えた。粒子加速のためのマルチサイクルTHzパルス発生を検討した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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半導体レーザ  ,  非線形光学 
タイトルに関連する用語 (2件):
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