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J-GLOBAL ID：201902237645555095   整理番号：19A1889003

原子抑制により誘起された単層アームチェア型ホウ素ナノチューブの金属-半導体転移【JST・京大機械翻訳】

Metal-Semiconductor Transition of Single-Wall Armchair Boron Nanotubes Induced by Atomic Depression

著者 (4件)： Dai Xinyue (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University, People’s Republic of China) ,  Zhang Lishu (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University, People’s Republic of China) ,  Li Jie (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University, People’s Republic of China) ,  Li Hui (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 46  ページ： 26096-26101  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理密度汎関数理論(DFT)と非平衡Green関数(NEGF)を用いて,単層ホウ素ナノチューブ(BNTs)の電子構造と輸送特性を計算した。六角形における中心原子の凹形変形により誘起された性能変換も研究した。その結果,元のBNTは金属であるが,歪んだアームチェアBNTsは半導体であることを示した。歪んだアームチェア型BNTデバイスの状態密度(DOS)と透過スペクトルにおける0.6eV以上のエネルギーギャップは,それらの顕著な電界効果トランジスタ特性を示した。さらに,元の(5,0)BNT素子の輸送特性は,電圧が0.1~0.2Vのとき,わずかな負の微分抵抗(NDR)を明確に実証した。本論文では,六角形中心におけるホウ素原子の抑制により,アームチェアBNTsの金属から半導体への遷移を実現できることを提案した。本研究はBNTsの電子輸送特性への洞察を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金属-半導体転移 ,  密度汎関数法 ,  *金属 ,  *半導体 ,  電圧 ,  *単一層 ,  エネルギーギャップ ,  状態密度 ,  *ホウ素 ,  第一原理 ,  電子構造
準シソーラス用語： 微分抵抗 ,  透過スペクトル ,  輸送特性 ,  非平衡Green関数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  誘起 ,  単層 ,  ホウ素 ,  ナノチューブ ,  金属-半導体転移