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J-GLOBAL ID：201902237699861788   整理番号：19A2011694

50MHz~6GHz 1W GaAs PHEMT積層分散電力増幅器【JST・京大機械翻訳】

A 50 MHz to 6 GHz 1-Watt GaAs pHEMT Stacked Distributed Power Amplifier

著者 (7件)： Wu Haifeng (Chengdu Ganide Technology, Chengdu, 610073, China) ,  lin Qian (College of Physics and Electronic Information Engineer, Qinghai Nationalities University, Xining, 810007, China) ,  Chen Yi-Jun (Chengdu Ganide Technology, Chengdu, 610073, China) ,  Hu Liu-Lin (Chengdu Ganide Technology, Chengdu, 610073, China) ,  Zhang Xiao-Ming (College of Physics and Electronic Information Engineer, Qinghai Nationalities University, Xining, 810007, China) ,  Hu Dan-hui (College of Physics and Electronic Information Engineer, Qinghai Nationalities University, Xining, 810007, China) ,  Chen Si-wei (College of Physics and Electronic Information Engineer, Qinghai Nationalities University, Xining, 810007, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IWS  ページ： 1-3  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.5~6GHz電力増幅器(PA)を,広帯域電力性能と広帯域電力利得を得るために,4分布2スタックFETを用いた0.15μm GaAs pHEMTプロセスを用いて設計した。12Vのドレイン電圧でバイアスすると,このPAは0.5~6GHzの周波数範囲で約1ワットの出力パワーの測定結果を示し,対応する電力付加効率は22~29%であった。測定したSパラメータは,17±0.3dBの非常に平坦な利得(S_21),-13dBの最大入力リターン損失(S_11),-15dBの最大出力リターン損失(S_22)を示した。チップは小さなチップサイズ3~1.6mm2を占める。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電力 ,  広帯域 ,  電力付加効率 ,  *電力増幅器 ,  *ヒ化ガリウム ,  利得
準シソーラス用語： チップサイズ ,  最大出力 ,  Sパラメータ ,  パワーゲイン ,  *PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  PHEMT ,  電力増幅器