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J-GLOBAL ID：201902237763363695   整理番号：19A1414110

界面拡散により生成したCdS/Sb_2Se_3薄膜太陽光発電における埋込みホモ接合【JST・京大機械翻訳】

Buried homojunction in CdS/Sb₂Se₃ thin film photovoltaics generated by interfacial diffusion

著者 (11件)： Zhou Ying (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Li Yang (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Luo Jiajun (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Li Dengbing (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Liu Xinsheng (Key Laboratory for Special Functional Materials of Ministry of Education, Collaborative Innovation Center of Nano Functional Materials and Applications, Henan Province, Henan University, Kaifeng 475004, People’s Republic of China) ,  Chen Chao (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Song Huaibing (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Ma Jingyuan (Beijing Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Xue Ding-Jiang (Beijing Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Yang Bo (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Tang Jiang (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 1  ページ： 013901-013901-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化アンチモン(Sb_2Se_3)は薄膜光起電力用の非常に有望な非毒性吸収体材料として出現し,大部分のデバイスはバッファ層としてCdSを用いた。Sb_2Se_3の特異な一次元結晶構造のために,激しい界面拡散が期待される。本レターでは,CdS/Sb_2Se_3光起電力における界面拡散を,複合材料とデバイス物理特性化から注意深く特性化した。結果は,Sb_2Se_3薄膜太陽電池において,見かけのCdS/Sb_2Se_3ヘテロ接合,ジカチオン電荷分離,およびデバイス性能の代わりに,Cd拡散によりSb_2Se_3吸収体層内部に深く埋め込まれたホモ接合があることを示した。Cd拡散は,0.22eVの活性化エネルギーをもつドナー準位を導入することにより,p型Sb_2Se_3をn型に変換した。著者らの研究は,Sb_2Se_3光起電力の理解を深め,それらの更なる性能最適化に光を当てる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電力 ,  バッファ層 ,  *硫化カドミウム ,  キャラクタリゼーション ,  *カドミウム ,  複合材料 ,  ヘテロ接合 ,  活性化エネルギー ,  *薄膜 ,  一次元
準シソーラス用語： ドナー準位 ,  二価カチオン ,  薄膜太陽電池 ,  *ホモ接合 ,  *界面拡散 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面拡散 ,  CdS ,  薄膜 ,  太陽光発電 ,  埋込み ,  ホモ接合