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J-GLOBAL ID：201902237878588904   整理番号：19A2835050

分子ビームエピタクシーによるMg_2Sn(111)膜の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Mg₂Sn(111) film by molecular beam epitaxy

著者 (5件)： Aizawa Takashi (MANA & CFNS, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ohkubo Isao (MANA & CFNS, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Lima Mariana S. L. (MANA & CFNS, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Sakurai Takeaki (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, Japan) ,  Mori Takao (MANA & CFNS, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 37  号： 6  ページ： 061513-061513-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネシウムすず化物(Mg_2Sn)は有望な熱電または光電子材料として興味のある小さなバンドギャップ半導体である。分子線エピタクシーを用いてサファイア(0001)表面上にMg_2Sn薄膜をエピタキシャル成長させた。エピタキシャル関係は(111)_MgSn//(0001)_AlOと[112]_MgSn//[1010]_AlOで,少量の積層欠陥を有する。0.21~0.27nm/sの比較的高い成長速度が達成できた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 成長速度 ,  光電子 ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  *エピタクシー ,  半導体 ,  積層欠陥 ,  *MBE成長 ,  サファイア

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 分子ビームエピタクシー ,  作製