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J-GLOBAL ID：201902237880306703   整理番号：19A1888412

少量の重合体と混合した(フェニル-C61-酪酸メチルエステル)における電荷キャリアの光発生【JST・京大機械翻訳】

Photogeneration of Charge Carriers in (Phenyl-C61-butyric Acid Methyl Ester) Mixed with a Small Amount of Polymers

著者 (3件)： Jung Jaroslaw (Department of Molecular Physics, Lodz University of Technology, Poland) ,  Stefaniuk-Grams Anna (Department of Molecular Physics, Lodz University of Technology, Poland) ,  Ulanski Jacek (Department of Molecular Physics, Lodz University of Technology, Poland)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 38  ページ： 20650-20661  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密充填フェニル-C61-酪酸メチルエステル(PCBM)における電荷キャリアの光発生を,キセロゲル放電法により調べた。熱化された電子の質量中心の位置は,隣接するPCBM分子間の中心-中心距離の多重性に不可欠な距離に位置することが分かった。10~4~10~7V/mの低電場では,最も光生成した電子は分子で熱化された電子に由来するが,一つはジェミニ再結合中心に由来する。閾値電場(約2×10~8V/m)に対して,熱化長さの期待値約1.9nmは,電子-正孔対の熱化距離の仮定分布関数に依存しない。PCBM電子-正孔分離長のこの特性に対するCoulomb結合エネルギーは,フラーレンにおける外因性および固有の光生成を分離する閾値エネルギー値と相関している。このモデルは観測された光子エネルギー2.25eVの実験的閾値を予測し,それ以下ではフラーレン系材料における光発生収率は急激に減少した。次に,平均電子-正孔対Coulomb結合エネルギー0.15eVを考慮に入れて,電気ギャップエネルギー2.4eVを計算することができ,文献データと一致した。また,ポリ(3-ヘキシルチオフェン)の存在が光発生過程にどのように影響するかを説明した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 放電 ,  電場 ,  分布関数 ,  フラーレン ,  電子正孔対 ,  再結合中心 ,  *重合体 ,  期待値 ,  光生成 ,  正孔 ,  結合エネルギー ,  キセロゲル ,  熱化
準シソーラス用語： PCBM ,  *電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 重合体 ,  フェニル ,  酪酸メチル ,  エステル ,  電荷キャリア