中性及びアニオン性ランタンドープシリコンクラスタの構造及び電子特性のプロービング【JST・京大機械翻訳】

Zhao Ya Ru; Bai Ting Ting; Jia Li Na; Xin Wang; Hu Yan Fei; Zheng Xiao Song; Hou Si Ting

文献

J-GLOBAL ID：201902237914053680 整理番号：19A2880588

中性及びアニオン性ランタンドープシリコンクラスタの構造及び電子特性のプロービング【JST・京大機械翻訳】

Probing the Structural and Electronic Properties of Neutral and Anionic Lanthanum-Doped Silicon Clusters

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資料名：
巻： 123 号： 47 ページ： 28561-28568 発行年： 2019年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

TMドープSi系半導体クラスタは多くの分野で注目されている。ここでは,B3LYPレベルにおけるその後のDFT最適化による効率的なCALYPSO構造探索法を利用することにより,中性およびアニオン性Si_nおよびLa_2Si_n(n=1~12)クラスタに対するグローバル最小の構造探索を行った。低エネルギーおよび安定クラスタの大きなポピュレーションが得られ,それから,異なるクラスタサイズに対する最も安定な異性体が,それらの全エネルギーおよびPESスペクトルの観点から確認された。シリコンクラスタとそれらのアニオンの構造と電子特性に及ぼすドーパントの影響を調べた。La原子と電荷はそれらに明確な影響を与えることが分かった。La_2Si_n~0/-のすべての最も安定な構造において,不純物La原子は骨格の凸キャップ位置を好み,電子供与体として作用する。安定性の解析により,ビット角ピラミッド骨格をもつLa_2Si_3は,n=1~12のクラスタサイズ範囲にわたって非常に安定であることを明らかにした。その理由は,La_2Si_3クラスタにおける強いSi-La結合をもたらすSiとLa原子間にpd混成が存在することである。この発見は多中心結合とMayer結合秩序解析によって支持される。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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分子化合物 , 原子・分子のクラスタ

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